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1. (WO2013051486) COMPOSITION DE PORCELAINE SEMI-CONDUCTRICE, ÉLÉMENT À COEFFICIENT DE TEMPÉRATURE POSITIF, ET MODULE GÉNÉRATEUR DE CHALEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/051486    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/075235
Date de publication : 11.04.2013 Date de dépôt international : 28.09.2012
CIB :
C04B 35/468 (2006.01), H01C 7/02 (2006.01)
Déposants : HITACHI METALS, LTD. [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058614 (JP)
Inventeurs : INO Kentaro; (JP).
SHIMADA Takeshi; (JP).
UEDA Itaru; (JP).
KIDA Toshiki; (JP)
Mandataire : SHIN-EI PATENT FIRM, P.C.; Toranomon East Bldg. 8F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-219093 03.10.2011 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR PORCELAIN COMPOSITION, POSITIVE TEMPERATURE COEFFICIENT ELEMENT, AND HEAT-GENERATING MODULE
(FR) COMPOSITION DE PORCELAINE SEMI-CONDUCTRICE, ÉLÉMENT À COEFFICIENT DE TEMPÉRATURE POSITIF, ET MODULE GÉNÉRATEUR DE CHALEUR
(JA) 半導体磁器組成物、PTC素子、および発熱モジュール
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a semiconductor porcelain composition that is characterized by having a composition represented by [(Bi∙A)x(Ba1-yRy)1-x](Ti1-zMz)aO3 (where A is at least one of Na, Li and K; R is at least one type of rare earth element (including Y); and M is at least one of Nb, Ta and Sb); and is further characterized in that the aforementioned a, x, y and z satisfy, 0.90 ≤a ≤ 1.10, 0 < x ≤0.30, 0 ≤y ≤0.050 and 0 ≤z ≤0.010, and the average distance between voids, which represents the average value of the space between voids that exist internally, is 1.0 μm to 8.0 μm.
(FR)La composition de porcelaine semi-conductrice selon l'invention est caractérisée en ce qu'elle a une composition représentée par [(Bi∙A)x(Ba1-yRy)1-x](Ti1-zMz)aO3 (où A est au moins Na et/ou Li et/ou K ; R est au moins un type d'élément de terre rare (comprenant Y) ; et M est au moins Nb et/ou Ta et/ou Sb) ; et est en outre caractérisée en ce que les a, x, y et z précités satisfont 0,90 ≤a ≤ 1,10, 0 < x ≤0,30, 0 ≤y ≤0,050 et 0 ≤z ≤0,010, et en ce que la distance moyenne entre les vides, qui représente la valeur moyenne de l'espace entre les vides qui existent internement, est de 1,0 à 8,0 μm.
(JA) 組成式が[(Bi・A)(Ba1-y1-x](Ti1-z)a(ただし、AはNa、Li、Kのうち少なくとも1種、Rは希土類元素(Yを含む)のうち少なくとも1種、MはNb、Ta、Sbのうち少なくとも1種)で表され、前記a、x、y、zが、0.90≦a≦1.10、0<x≦0.30、0≦y≦0.050、0≦z≦0.010を満足し、内部に存在する空隙部同士の間隔の平均値である平均ボイド間距離が1.0μm以上、8.0μm以下であることを特徴とする半導体磁器組成物を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)