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1. (WO2013051456) PROCÉDÉ DE MESURE, APPAREIL DE TRAITEMENT DE DONNÉES ET MICROSCOPE ÉLECTRONIQUE L'UTILISANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/051456    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/074888
Date de publication : 11.04.2013 Date de dépôt international : 27.09.2012
CIB :
G01B 15/04 (2006.01), G01B 15/00 (2006.01)
Déposants : HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717 (JP)
Inventeurs : OHASHI Takeyoshi; (JP).
TANAKA Junichi; (JP).
SEKIGUCHI Tomoko; (JP).
KAWADA Hiroki; (JP)
Mandataire : POLAIRE I.P.C.; 7-1, Hatchobori 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040032 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-221682 06.10.2011 JP
Titre (EN) MEASURING METHOD, DATA PROCESSING APPARATUS AND ELECTRON MICROSCOPE USING SAME
(FR) PROCÉDÉ DE MESURE, APPAREIL DE TRAITEMENT DE DONNÉES ET MICROSCOPE ÉLECTRONIQUE L'UTILISANT
(JA) 計測方法、データ処理装置及びそれを用いた電子顕微鏡
Abrégé : front page image
(EN)The objective of the invention is to provide a measuring method that can determine pattern contours and dimensions with high precision even if an object to be measured shrinks due to electron beam radiations. In order to achieve this objective, a method, which performs measurements by irradiating an electron beam onto a sample having a pattern formed on a primary coating thereof, prepares an SEM image and contour of the pattern (S201, S202), material parameters of the pattern part and primary coating part of the sample (S203, S204), and a beam condition in irradiating the electron beam onto the sample (S205), and uses these prepared things to calculate a pattern shape or dimensions before the irradiation of the electron beam (S206).
(FR)La présente invention concerne un procédé de mesure permettant de déterminer les contours et les dimensions d'un motif avec une grande précision même si un objet à mesurer rétrécit à cause du rayonnement du faisceau d'électrons. Le procédé de l'invention effectue des mesures en irradiant un faisceau d'électrons sur un échantillon comportant un motif formé sur un revêtement primaire. En outre, le procédé prépare une image et un contour du motif (S201, S202) au moyen d'un microscope électronique à balayage, des paramètres de matériaux de la partie motif et de la partie revêtement primaire de l'échantillon (S203, S204) et une condition de faisceau pour irradier le faisceau d'électrons sur l'échantillon (S205), et utilise ces choses préparées pour calculer la forme ou les dimensions du motif avant l'irradiation du faisceau d'électrons (S206).
(JA) 計測対象が電子線照射によってシュリンクする場合であっても、パターン輪郭や寸法を高精度に求めることのできる計測方法を提供するために、下地の上にパターンが形成された試料に電子線を照射して計測する方法において、パターンのSEM画像や輪郭(S201、S202)、試料のパターン部および下地部の材料パラメータ(S203)(S204)、電子線を試料に照射する際のビーム条件(S205)を準備し、これらを用いて、電子線を照射する前のパターン形状、あるいは寸法を算出する(S206)。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)