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1. (WO2013051375) DISPOSITIF DE DÉCOUPAGE EN DÉS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/051375    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/073110
Date de publication : 11.04.2013 Date de dépôt international : 10.09.2012
CIB :
H01L 21/301 (2006.01), B24B 41/06 (2012.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (Tous Sauf US).
MARUSHIMA, Yoshinari; (US Seulement)
Inventeurs : MARUSHIMA, Yoshinari;
Mandataire : HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-221126 05.10.2011 JP
Titre (EN) DICING DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE DÉCOUPAGE EN DÉS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) ダイシング装置及び半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The placement surface (10a) of a stage (10) is supported so as to have a tilt angle (θ) from a reference horizontal surface (A) orthogonal to the vertical direction in a process of dicing while pouring cleaning water. This is performed in order to reduce the cost involved in manufacturing a semiconductor device. The tilt angle (θ) is set so as to be no smaller than the angle at which the pooling of the cleaning water blown onto a semiconductor wafer placed on the stage (10) begins to be disrupted.
(FR)La surface de placement (10a) d'un étage (10) est supportée de manière à être dotée d'un angle d'inclinaison (θ) à partir d'une surface horizontale de référence (A) orthogonal à la direction verticale dans le cadre d'un processus de découpage en dés tout en versant de l'eau de nettoyage. Ceci est effectué de manière à réduire le coût de la fabrication d'un dispositif à semi-conducteur. L'angle d'inclinaison (θ) est défini de manière à ne pas être inférieur à l'angle auquel le regroupement de l'eau de nettoyage soufflée sur une plaquette à semi-conducteur qui est placée sur l'étage (10) commence à être interrompu.
(JA)半導体装置の製造に係るコストを低減するために、洗浄水を流しながら行うダイシング中、ステージ(10)の載置面(10a)が、鉛直方向に直交する基準水平面(A)から傾斜角(θ)を有するように支持され、上記傾斜角(θ)が、上記ステージ(10)に載置された半導体ウェハ上に吹き付けられた洗浄水の滞留状態が崩れるのを開始する角度以上に設定されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)