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1. (WO2013051362) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/051362    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/072646
Date de publication : 11.04.2013 Date de dépôt international : 05.09.2012
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : Tokyo Electron Limited [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-Chome, Minato-Ku, Tokyo 1076325 (JP) (Tous Sauf US).
AKASAKA, Yasushi [JP/--]; (TW) (US Seulement).
AKIYAMA, Koji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIGASHIJIMA, Hirokazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : AKASAKA, Yasushi; (TW).
AKIYAMA, Koji; (JP).
HIGASHIJIMA, Hirokazu; (JP)
Mandataire : ITOH, Tadashige; 16th Floor, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Seimei Building), 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-220257 04.10.2011 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a semiconductor device manufacturing method which has: a step of forming a dielectric material film on a semiconductor substrate; a step of heat treating the dielectric material film; a step of forming an electrode on a part of the dielectric material film; a step of radiating an ionized gas cluster to a dielectric material film part where the electrode is not formed; and a step of removing, by means of wet etching, the dielectric material film in the region irradiated with the ionized gas cluster, after the irradiation step.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur qui comprend : une étape de formation d'un film de matériau diélectrique sur un substrat semi-conducteur ; une étape de traitement thermique du film de matériau diélectrique ; une étape de formation d'une électrode sur une partie du film de matériau diélectrique ; une étape d'exposition à un agrégat de gaz ionisé d'une partie du film de matériau diélectrique où l'électrode n'est pas formée ; et une étape d'élimination, au moyen d'une gravure humide, du film de matériau diélectrique dans la région exposée à l'agrégat de gaz ionisé, après l'étape d'exposition.
(JA) 半導体基板上に誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜を熱処理する工程と、前記誘電体膜上の一部に電極を形成する工程と、前記電極の形成されていない前記誘電体膜にイオン化したガスクラスターを照射する工程と、前記照射工程の後、ウェットエッチングにより、前記イオン化したガスクラスターの照射された領域における前記誘電体膜を除去する工程と、を有する半導体装置の製造方法を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)