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1. (WO2013051344) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS EN CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/051344    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/070740
Date de publication : 11.04.2013 Date de dépôt international : 15.08.2012
CIB :
H01L 21/337 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 27/098 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/808 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (Tous Sauf US).
HAYASHI, Hideki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MASUDA, Takeyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HAYASHI, Hideki; (JP).
MASUDA, Takeyoshi; (JP)
Mandataire : Fukami Patent Office, p.c.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-218878 03.10.2011 JP
Titre (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS EN CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This silicon carbide semiconductor device (10) includes: a substrate (11); and a silicon carbide layer (4) provided on the substrate (11) and having a primary surface (13A) and a thickness direction that intersects the primary surface (13A). The silicon carbide layer (4) includes: a channel layer (7); a source region (15); a drain region (17); and a gate region (16R) between the source region (15) and the drain region (17). The gate region (16R) is epitaxially grown in a manner so as to have a second conductivity type that differs from a first conductivity type with respect to the channel layer (7). As a result, it is possible to provide a silicon carbide semiconductor device (10) that can reduce threshold voltage unevenness.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs (10) en carbure de silicium, lequel comporte un substrat (11) ainsi qu'une couche de carbure de silicium (4) située sur le substrat (11) et possédant une surface principale (13A) et une direction d'épaisseur croisant cette surface principale (13A). La couche de carbure de silicium (4) comporte une couche canal (7), une région source (15), une région drain (17) et une région grille (16R) située entre la région source (15) et la région drain (17). On fait croître par épitaxie la région grille (16) pour qu'elle possède un deuxième type de conductivité différent d'un premier type de conductivité qui est celui de la couche canal (7). Ainsi, on obtient un dispositif à semi-conducteurs en carbure de silicium permettant de réduire les disparités de potentiel seuil.
(JA) 炭化珪素半導体装置(10)は、基板(11)と、基板(11)上に設けられ、主表面(13A)と、主表面(13A)と交差する厚さ方向とを有する炭化珪素層(4)とを含む。炭化珪素層(4)は、チャネル層(7)と、ソース領域(15)と、ドレイン領域(17)と、ソース領域(15)とドレイン領域(17)との間において、ゲート領域(16R)とを含む。ゲート領域(16R)はチャネル層(7)に対して、第1の導電型と異なる第2の導電型を有するようにエピタキシャル成長されている。これにより、閾値電圧のばらつきを低減できる炭化珪素半導体装置(10)を提供することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)