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1. (WO2013051282) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/051282    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/006417
Date de publication : 11.04.2013 Date de dépôt international : 05.10.2012
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (Tous Sauf US).
TOHNOE, Kazuhito [JP/JP]; (JP) (US only)
Inventeurs : TOHNOE, Kazuhito; (JP)
Mandataire : SAKURA PATENT OFFICE, P.C.; PMO Kanda Tsukasa-machi, 8-1, Kanda Tsukasa-machi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010048 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-222377 06.10.2011 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This semiconductor device manufacturing method has a plasma etching process wherein: a substrate to be processed is held in a processing container, said substrate to be processed being configured by having formed on a silicon layer main surface a resist layer patterned into a predetermined pattern, and the silicon layer is plasma etched using the resist layer as a mask. The plasma etching process has: a first etching step wherein a mixed gas having a deposition gas and an etching gas mixed at a predetermined rate is introduced into the processing container, and the substrate to be processed is plasma etched in the mixed gas atmosphere; and a step of repeating a plurality of times a deposition step, wherein the deposition gas is introduced into the processing container, and the substrate that has been plasma etched in the first etching step is subjected to deposition treatment in an atmosphere having the deposition gas as a main component, and a second etching step, wherein the etching gas is introduced into the processing container, and the substrate that has been subjected to the deposition treatment in the deposition step is plasma etched in an atmosphere having the etching gas as a main component.
(FR)La présente invention porte sur un procédé de fabrication de dispositif semi-conducteur qui a un traitement de gravure plasma dans lequel : un substrat à traiter est maintenu dans un récipient de traitement, ledit substrat à traiter étant configuré en ayant formé sur une surface principale de couche de silicium une couche de résine photosensible à motifs dans un motif prédéterminé, et la couche de silicium est gravée par plasma à l'aide de la couche de résine photosensible en tant que masque. Le traitement de gravure plasma a : une première étape de gravure dans laquelle un gaz mélangé ayant un gaz de dépôt et un gaz de gravure mélangés à un taux prédéterminé est introduit dans le récipient de traitement, et le substrat à traiter est gravé par plasma dans l'atmosphère de gaz mélangé; et une étape de répétition d'une pluralité de fois d'une étape de dépôt, dans laquelle le gaz de dépôt est introduit dans le récipient de traitement, et le substrat qui a été gravé par plasma dans la première étape de gravure est soumis à un traitement de dépôt dans une atmosphère ayant le gaz de dépôt en tant que composant principal, et une seconde étape de gravure, dans laquelle le gaz de gravure est introduit dans le récipient de traitement, et le substrat qui a été soumis au traitement de dépôt dans l'étape de dépôt est gravé par plasma dans une atmosphère ayant le gaz de gravure en tant que composant principal.
(JA) 実施形態の半導体装置の製造方法は、シリコン層の主面に所定のパターンにパターニングされたレジスト層が形成されてなる被処理基板を処理容器内に保持し、レジスト層をマスクとしてシリコン層をプラズマエッチングするプラズマエッチング工程を有する半導体装置の製造方法であって、プラズマエッチング工程が、所定の比率で混合した堆積性ガスおよびエッチング性ガスの混合ガスを処理容器内に導入し、該混合ガス雰囲気で被処理基板をプラズマエッチングする第1のエッチングステップと、処理容器内に堆積性ガスを導入し、第1のエッチングステップによりプラズマエッチングされた被処理基板を該堆積性ガスが主体の雰囲気で堆積処理する堆積ステップ、および、処理容器内にエッチング性ガスを導入し、堆積ステップにより堆積処理された被処理基板を該エッチング性ガスが主体の雰囲気でプラズマエッチングする第2のエッチングステップを、複数回繰り返すステップと、を有している。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)