WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2013050785) STRUCTURES GRAVÉES EN SILICIUM, PROCÉDÉ DE FORMATION DE STRUCTURES GRAVÉES EN SILICIUM ET LEURS UTILISATIONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/050785    N° de la demande internationale :    PCT/GB2012/052483
Date de publication : 11.04.2013 Date de dépôt international : 05.10.2012
CIB :
H01M 4/04 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), B44C 1/22 (2006.01), H01M 4/02 (2006.01), H01M 4/70 (2006.01), H01M 4/38 (2006.01), H01M 4/66 (2006.01)
Déposants : NEXEON LIMITED [GB/GB]; 136 Milton Park Abingdon Oxfordshire OX14 4SB (GB)
Inventeurs : LIU, Fengming; (GB)
Mandataire : JOHNSON, Stephen, William; Venner Shipley LLP Byron House Cambridge Business Park Cowley Road Cambridge CB4 0WZ (GB)
Données relatives à la priorité :
1117279.8 06.10.2011 GB
Titre (EN) ETCHED SILICON STRUCTURES, METHOD OF FORMING ETCHED SILICON STRUCTURES AND USES THEREOF
(FR) STRUCTURES GRAVÉES EN SILICIUM, PROCÉDÉ DE FORMATION DE STRUCTURES GRAVÉES EN SILICIUM ET LEURS UTILISATIONS
Abrégé : front page image
(EN)A method of etching silicon, the method comprising the steps of: partially covering at least one silicon surface of a material to be etched with copper metal; and exposing the at least one surface to an aqueous etching composition comprising an oxidant and a source of fluoride ions.
(FR)La présente invention concerne un procédé de gravure de silicium, le procédé comprenant les étapes consistant à : recouvrir en partie de cuivre au moins une surface en silicium d'un matériau à graver; et exposer la ou les surfaces d'une composition de gravure aqueuse comprenant un oxydant et une source d'ions fluorure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)