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1. (WO2013050570) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE NANOSTRUCTURES ET CATHODE POUR AGENCEMENT D'ÉCLAIRAGE À ÉMISSION DE CHAMP
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/050570    N° de la demande internationale :    PCT/EP2012/069787
Date de publication : 11.04.2013 Date de dépôt international : 05.10.2012
CIB :
H01J 9/02 (2006.01), H01J 63/04 (2006.01), H01J 1/304 (2006.01)
Déposants : LIGHTLAB SWEDEN AB [SE/SE]; Östermalmstorg 1 S-114 42 Stockholm (SE)
Inventeurs : HU, Qiu-Hong; (SE).
YANG, Shang-Ray; (TW).
BOHLIN, Kjell; (SE)
Mandataire : NILSSON, Lars-Magnus; Awapatent AB Södra Hamngatan 37-41 Box 11394 S-404 28 Göteborg (SE)
Données relatives à la priorité :
11183984.1 05.10.2011 EP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING NANOSTRUCTURES AND CATHODE FOR FIELD EMISSION LIGHTING ARRANGEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE NANOSTRUCTURES ET CATHODE POUR AGENCEMENT D'ÉCLAIRAGE À ÉMISSION DE CHAMP
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a method for manufacturing a plurality of nanostructures comprising the steps of providing a plurality of protruding base structures (104) arranged on a surface of a first substrate (102), providing a seed layer mixture, comprising a solvent/dispersant and a seed material, in contact with the protruding base structures, providing a second substrate arranged in parallel with the first substrate adjacent to the protruding base structures, thereby enclosing a majority of the seed layer mixture between the first and second substrates, evaporating the solvent, thereby forming a seed layer (110) comprising the seed material on the protruding base structures, removing the second substrate, providing a growth mixture, comprising a growth agent, in contact with the seed layer, and controlling the temperature of the growth mixture so that nanostructures (114) are formed on the seed layer via chemical reaction in presence of the growth agent.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une pluralité de nanostructures comprenant les étapes de fourniture d'une pluralité de structures de base faisant saillie (104) agencées sur une surface d'un premier substrat (102), de fourniture d'un mélange de couche de germe, comprenant un solvant/dispersant et une matière de germe, en contact avec les structures de base faisant saillie, de fourniture d'un second substrat agencé en parallèle au premier substrat adjacent aux structures de base faisant saillie, renfermant ainsi une majorité du mélange de couche de germe entre les premier et second substrats, d'évaporation du solvant, formant ainsi une couche de germe (110) comprenant la matière de germe sur les structures de base faisant saillie, de retrait du second substrat, de disposition d'un mélange de croissance, comprenant un agent de croissance, en contact avec la couche de germe, et de commande de la température du mélange de croissance de telle sorte que des nanostructures (114) sont formées sur la couche de germe par l'intermédiaire d'une réaction chimique en présence de l'agent de croissance.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)