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1. (WO2013050563) COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEURS PRÉSENTANT UNE STRUCTURE MULTICOUCHE ET MODULE FORMÉ À PARTIR DE CE COMPOSANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/050563    N° de la demande internationale :    PCT/EP2012/069776
Date de publication : 11.04.2013 Date de dépôt international : 05.10.2012
CIB :
H01L 31/0687 (2012.01), H01L 31/0725 (2012.01), H01L 27/142 (2006.01)
Déposants : FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastraße 27c 80686 München (DE)
Inventeurs : WIESENFARTH, Maike; (DE).
GUTER, Wolfgang; (DE).
HELMERS, Henning; (DE)
Mandataire : PFENNING, MEINIG & PARTNER GBR; Theresienhöhe 13 80339 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2011 115 340.7 07.10.2011 DE
Titre (DE) HALBLEITERBAUELEMENT IM MEHRSCHICHTAUFBAU UND HIERAUS GEBILDETES MODUL
(EN) SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING A MULTI-LAYER STRUCTURE AND MODULE FORMED THEREFROM
(FR) COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEURS PRÉSENTANT UNE STRUCTURE MULTICOUCHE ET MODULE FORMÉ À PARTIR DE CE COMPOSANT
Abrégé : front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement im Mehrschichtaufbau, bei dem eine Bypass-Diode monolithisch in das Halbleiterbauelement integriert ist. Ebenso betrifft die Erfindung Module, die aus mehreren dieser Halbleiterbauelemente aufgebaut sind. Die Erfindung betrifft insbesondere Mehrfachsolarzellen in der Photovoltaik.
(EN)The invention relates to a semiconductor component having a multi-layer structure, wherein a bypass diode is monolithically integrated into the semiconductor component. The invention further relates to modules that are constructed from several of said semiconductor components. The invention relates in particular to multi-junction solar cells in photovoltaics.
(FR)L'invention concerne un composant à semi-conducteurs présentant une structure multicouche, une diode de dérivation étant intégrée de manière monolithique dans le composant à semi-conducteurs. Cette invention concerne également un module formé à partir de plusieurs composants à semi-conducteurs de ce type. L'invention concerne en particulier des cellules solaires multiples du type photovoltaïque.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)