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1. (WO2013050221) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COUCHES D'OXYDES MÉTALLIQUES SEMI-CONDUCTRICES À HAUTES PERFORMANCES ET ÉLECTRIQUEMENT STABLES, COUCHES FABRIQUÉES PAR CE PROCÉDÉ ET LEUR UTILISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/050221    N° de la demande internationale :    PCT/EP2012/067804
Date de publication : 11.04.2013 Date de dépôt international : 12.09.2012
CIB :
H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : EVONIK DEGUSSA GMBH [DE/DE]; Rellinghauser Straße 1-11 45128 Essen (DE) (Tous Sauf US).
STEIGER, Jürgen [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
PHAM, Duy Vu [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
NEUMANN, Anita [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
MERKULOV, Alexey [RU/DE]; (DE) (US Seulement).
HOPPE, Arne [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : STEIGER, Jürgen; (DE).
PHAM, Duy Vu; (DE).
NEUMANN, Anita; (DE).
MERKULOV, Alexey; (DE).
HOPPE, Arne; (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2011 084 145.8 07.10.2011 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HOCHPERFORMANTEN UND ELEKTRISCH STABILEN, HALBLEITENDEN METALLOXIDSCHICHTEN, NACH DEM VERFAHREN HERGESTELLTE SCHICHTEN UND DEREN VERWENDUNG
(EN) METHOD FOR PRODUCING HIGH-PERFORMING AND ELECTRICALLY STABLE SEMI-CONDUCTIVE METAL OXIDE LAYERS, LAYERS PRODUCED ACCORDING TO THE METHOD AND USE THEREOF
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COUCHES D'OXYDES MÉTALLIQUES SEMI-CONDUCTRICES À HAUTES PERFORMANCES ET ÉLECTRIQUEMENT STABLES, COUCHES FABRIQUÉES PAR CE PROCÉDÉ ET LEUR UTILISATION
Abrégé : front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlaminats, das eine erste und eine zweite Metalloxid-Schicht sowie eine Dielektrikum-Schicht umfasst, wobei die erste Metalloxid-Schicht zwischen der zweiten Metalloxid-Schicht und der Dielektrikum-Schicht angeordnet ist. Die erste und die zweite Metalloxid-Schicht werden entsprechend aus einer ersten und einer zweiten flüssigen Phase ausgebildet. Ebenfalls betrifft die vorliegende Erfindung ein Halbleiterlaminat, das nach einem solchen Verfahren erhältlich ist sowie elektronische Bauteile, die ein solches Halbleiterlaminat umfassen.
(EN)The present invention relates to a method for producing a semi-conductor laminate comprising a first and a second metal oxide layer as well as a dielectric layer, wherein the first metal oxide layer is arranged between the second metal oxide layer and the dielectric layer. The first and second metal oxide layers are formed accordingly from a first and a second liquid phase. The present invention also relates to a semi-conductor laminate that can be obtained from such a method, and to electronic components comprising such a semi-conductor laminate.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un stratifié semi-conducteur comprenant une première et une deuxième couche d'oxyde métallique et une couche de diélectrique, la première couche d'oxyde métallique étant située entre la deuxième couche d'oxyde métallique et la couche de diélectrique. La première et la deuxième couche d'oxyde métallique sont formées de manière correspondante à partir d'une première et d'une deuxième phase liquide. La présente invention concerne également un stratifié semi-conducteur pouvant être obtenu par ce procédé, ainsi que des composants électroniques comprenant ce stratifié semi-conducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)