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1. (WO2013050141) CIRCUIT DE COMMANDE D'UN CIRCUIT ELEVATEUR DE TENSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/050141    N° de la demande internationale :    PCT/EP2012/004142
Date de publication : 11.04.2013 Date de dépôt international : 04.10.2012
CIB :
H02M 3/07 (2006.01), H03K 17/06 (2006.01), H03K 17/0412 (2006.01)
Déposants : VALEO SYSTEMS THERMIQUES [FR/FR]; 8, rue Louis Lormand BP 517 La Verrière F-78321 Le Mesnil Saint Denis (FR)
Inventeurs : CHAUVIN, Karen; (FR)
Données relatives à la priorité :
11 03028 05.10.2011 FR
Titre (EN) CIRCUIT FOR CONTROLLING A VOLTAGE STEP-UP CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE COMMANDE D'UN CIRCUIT ELEVATEUR DE TENSION
Abrégé : front page image
(EN)This circuit for controlling a voltage step-up circuit (2) comprises: - a first PNP transistor (4) of which the emitter (E1) is connected to an input voltage (Vin); - a second NPN transistor (6) of which the collector (C2) is connected to the collector (C1) of the first transistor (4), the emitter (E2) of the second transistor (6) being connected to a ground, and characterized in that the emitter (E2) of said second transistor (6) is connected to the ground via a first resistor (12) and its base (B2) is connected to the ground through at least one diode (14, 16, 18).
(FR)Ce circuit de commande d'un circuit élévateur de tension (2) comprenant : - un premier transistor PNP (4) dont l'émetteur (E1) est raccordé à une tension d'entrée (Vin); - un deuxième transistor NPN (6) dont le collecteur (C2) est raccordé au collecteur (C1) du premier transistor (4), l'émetteur (E2) du deuxième transistor (6) étant raccordé à une masse, et caractérisé en ce que l'émetteur (E2) dudit deuxième transistor (6) est raccordé à la masse à travers une première résistance (12) et sa base (B2) est raccordée à la masse à travers au moins une diode (14, 16, 18).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)