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1. (WO2013049811) PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIFS MAGNÉTIQUES AYANT DES DOUBLES BARRIÈRES TUNNELS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2013/049811 N° de la demande internationale : PCT/US2012/058294
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 01.10.2012
CIB :
H01L 43/12 (2006.01) ,G11C 11/15 (2006.01)
Déposants : EVERSPIN TECHNOLOGIES, INC.; 1300 N. Alma School Road Chandler, AZ 85224, US (AllExceptUS)
Inventeurs : AGGARWAL, Sanjev; US
NAGEL, Kerry; US
JANESKY, Jason; US
Mandataire : KOCH, William, E.; 7010 E. Cochise Road Scottsdale, AZ 85253, US
Données relatives à la priorité :
13/250,36130.09.2011US
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING AND MAGNETIC DEVICES HAVING DOUBLE TUNNEL BARRIERS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIFS MAGNÉTIQUES AYANT DES DOUBLES BARRIÈRES TUNNELS
Abrégé : front page image
(EN) A dual tunnel barrier magnetic element has a free magnetic layer positioned between first and second tunnel barriers and an electrode over the second tunnel barrier. A two step etch process allows for forming an encapsulation material on a side wall of the electrode and the second tunnel barrier subsequent to the first etch for preventing damage to the first tunnel barrier when performing the second etch to remove a portion of the free layer.
(FR) La présente invention porte sur un élément magnétique à double barrière de tunnel, qui a une couche magnétique libre positionnée entre des première et seconde barrières tunnels et une électrode sur la seconde barrière tunnel. Un procédé de gravure en deux étapes permet la formation d'une matière d'encapsulation sur une paroi latérale de l'électrode et la seconde barrière tunnel à la suite de la première gravure pour empêcher un endommagement de la première barrière tunnel lors de la réalisation de la seconde gravure pour retirer une partie de la couche libre.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)