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1. (WO2013049421) DISPOSITIFS ÉLECTROLUMINESCENTS CONTENANT DES COUCHES DE COUPLAGE DE LUMIÈRE POURVUES D'ÉLECTRODES CREUSES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/049421    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/057669
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 27.09.2012
CIB :
H01L 33/30 (2010.01), H01L 33/22 (2010.01)
Déposants : TOSHIBA TECHNO CENTER, INC. [JP/JP]; 1-1-1, Shibaura 1-chome Minato-ku, Tokyo 105-8001 (JP) (Tous Sauf US).
LIN, Chao-kun [US/US]; (US) (US only).
YAN, Li [CN/US]; (US) (US only).
CHUANG, Chih-wei [--/US]; (US) (US only)
Inventeurs : LIN, Chao-kun; (US).
YAN, Li; (US).
CHUANG, Chih-wei; (US)
Données relatives à la priorité :
13/249,196 29.09.2011 US
Titre (EN) LIGHT EMITTING DEVICES HAVING LIGHT COUPLING LAYERS WITH RECESSED ELECTRODES
(FR) DISPOSITIFS ÉLECTROLUMINESCENTS CONTENANT DES COUCHES DE COUPLAGE DE LUMIÈRE POURVUES D'ÉLECTRODES CREUSES
Abrégé : front page image
(EN)A light emitting device comprises a first layer of an n-type semiconductor material, a second layer of a p-type semiconductor material, and an active layer between the first layer and the second layer. A light coupling structure is disposed adjacent to one of the first layer and the second layer. In some cases, the light coupling structure is disposed adjacent to the first layer. An orifice formed in the light coupling structure extends to the first layer. An electrode formed in the orifice is in electrical communication with the first layer.
(FR)Un dispositif électroluminescent comprend une première couche en un matériau semi-conducteur de type n, une deuxième couche en un matériau semi-conducteur de type p et une couche active située entre les deux premières couches. Une structure de couplage de lumière est disposée à côté de la première ou de la deuxième couche. Dans certains cas, la structure de couplage de lumière est disposée à côté de la première couche. Un orifice formé dans la structure de couplage de lumière s'étend vers la première couche. Une électrode formée dans l'orifice est en communication électrique avec la première couche.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)