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1. (WO2013049419) DISPOSITIFS ÉMETTEURS DE LUMIÈRE COMPRENANT DES COUCHES DE COUPLAGE DE LUMIÈRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/049419    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/057666
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 27.09.2012
CIB :
H01L 33/30 (2010.01), H01L 33/22 (2010.01)
Déposants : TOSHIBA TECHNO CENTER, INC. [JP/JP]; 1-1-1, Shibaura 1-chome Minato-ku, Tokyo 105-8001 (JP) (Tous Sauf US).
YAN, Li [CN/US]; (US) (US only).
LIN, Chao-kun [US/US]; (US) (US only).
CHUANG, Chih-wei [--/US]; (US) (US only)
Inventeurs : YAN, Li; (US).
LIN, Chao-kun; (US).
CHUANG, Chih-wei; (US)
Données relatives à la priorité :
13/249,184 29.09.2011 US
Titre (EN) LIGHT EMITTING DEVICES HAVING LIGHT COUPLING LAYERS
(FR) DISPOSITIFS ÉMETTEURS DE LUMIÈRE COMPRENANT DES COUCHES DE COUPLAGE DE LUMIÈRE
Abrégé : front page image
(EN)A light emitting device comprises a first layer of an n-type semiconductor material, a second layer of a p-type semiconductor material, and an active layer between the first layer and the second layer. A light coupling layer is disposed adjacent to one of the first layer and the second layer. In some cases, the light coupling layer is formed by roughening a buffer layer of the light emitting device. The light emitting device includes an electrode in electrical communication with one of the first layer and the second layer through a portion of the light coupling layer.
(FR)L'invention concerne un dispositif émetteur de lumière comprenant une première couche d'un matériau semi-conducteur de type n, une seconde couche d'un matériau semi-conducteur de type p, et une couche active entre la première couche et la seconde couche. Une couche de couplage de lumière est disposée à proximité d'une de la première et de la seconde couche. Dans certains cas, la couche de couplage de lumière est formée en rendant rugueuse une couche tampon du dispositif émetteur de lumière. Le dispositif émetteur de lumière comprend une électrode en communication électrique avec une de la première couche et de la seconde couche via une partie de la couche de couplage de lumière.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)