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1. (WO2013049223) PROCÉDÉ D'ÉLIMINATION PAR GRAVURE SÈCHE INSENSIBLE À LA QUALITÉ DES MATÉRIAUX, UTILISÉ POUR L'INTÉGRATION DE SEMI-CONDUCTEURS.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/049223    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/057358
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 26.09.2012
CIB :
H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US) (Tous Sauf US).
SAPRE, Kedar [IN/US]; (US) (US only).
MININNI, Rossella [IT/US]; (US) (US only).
TANG, Jing [CN/US]; (US) (US only)
Inventeurs : SAPRE, Kedar; (US).
MININNI, Rossella; (US).
TANG, Jing; (US)
Mandataire : BERNARD, Eugene J.; Kilpatrick Townsend & Stockton LLP Two Embarcadero Center, 8th Floor San Francisco, California 94111 (US)
Données relatives à la priorité :
61/539,270 26.09.2011 US
13/624,693 21.09.2012 US
Titre (EN) INSENSITIVE DRY REMOVAL PROCESS FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATION
(FR) PROCÉDÉ D'ÉLIMINATION PAR GRAVURE SÈCHE INSENSIBLE À LA QUALITÉ DES MATÉRIAUX, UTILISÉ POUR L'INTÉGRATION DE SEMI-CONDUCTEURS.
Abrégé : front page image
(EN)Methods of depositing and etching dielectric layers from a surface of a semiconductor substrate are disclosed. The methods may include depositing a first dielectric layer having a first wet etch rate in aqueous HF. The methods also may include depositing a second dielectric layer that may be initially flowable following deposition, and the second dielectric layer may have a second wet etch rate in aqueous HF that is higher than the first wet etch rate. The methods may further include etching the first and second dielectric layers with an etchant gas mixture, where the first and second dielectric layers have a ratio of etch rates that is closer to one than the ratio of the second wet etch rate to the first wet etch rate in aqueous HF.
(FR)La présente invention concerne des procédés de dépôt et de gravure de couches diélectriques sur ou dans une surface d'un substrat semi-conducteur. Les procédés peuvent consister à déposer une première couche diélectrique ayant une première vitesse de gravure humide dans du fluorure d'hydrogène aqueux. Les procédés peuvent également consister à déposer une seconde couche diélectrique qui peut être initialement fluide après le dépôt, la seconde couche pouvant avoir une seconde vitesse de gravure à l'état humide dans du fluorure d'hydrogène aqueux qui est supérieure à la première vitesse de gravure humide. Les procédés peuvent en outre comprendre la gravure des première et seconde couches diélectriques avec un mélange de gaz de gravure. lesdites première et seconde couches diélectriques ayant un rapport de leur vitesse de gravure qui est plus proche de un que le rapport de la seconde vitesse de gravure humide et de la première vitesse de gravure humide dans du fluorure d'hydrogène aqueux.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)