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1. (WO2013049188) CAPTEURS INTÉGRÉS PERSONNALISABLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/049188    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/057316
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 26.09.2012
CIB :
H01L 41/08 (2006.01)
Déposants : NORTHEASTERN UNIVERSITY [US/US]; 360 Huntington Avenue 960 Renaissance Park Boston, MA 02115-5000 (US).
RANKY, Richard [US/US]; (US).
MAVROIDIS, Constantinos [US/US]; (US)
Inventeurs : RANKY, Richard; (US).
MAVROIDIS, Constantinos; (US)
Mandataire : SCOZZAFAVA, Mary Rose; Wilmer Cutler Pickering Hale and Dorr LLP 60 State Street Boston, MA 02109 (US)
Données relatives à la priorité :
61/539,198 26.09.2011 US
61/650,531 23.05.2012 US
Titre (EN) CUSTOMIZABLE EMBEDDED SENSORS
(FR) CAPTEURS INTÉGRÉS PERSONNALISABLES
Abrégé : front page image
(EN)A method of constructing a sensor includes depositing a first material in a predetermined arrangement to form a structure. The depositing results in at least one void occurring within the structure. The method further includes depositing a second material within the voids. The second material may have electrical properties that vary according to deformation of the second material. The method also includes providing electrical access to the second material to enable observation of the one or more electrical properties. A sensor includes a structure that has one or more voids distributed within the structure. The sensor also includes a material deposited within the one or more voids. The material may be characterized by one or more electrical properties such as piezoresistivity. The sensor includes a first contact electrically coupled to a first location on the material, and a second contact electrically coupled to a second location on the material.
(FR)La présente invention porte sur un procédé de construction d'un capteur qui comprend le dépôt d'une première matière dans un agencement prédéterminé pour former une structure. Le dépôt résulte en au moins un vide se produisant dans la structure. Le procédé comprend en outre le dépôt d'une seconde matière dans les vides. La seconde matière peut avoir des propriétés électriques qui varient selon une déformation de la seconde matière. Le procédé comprend également la fourniture d'un accès électrique à la seconde matière pour permettre une observation de la ou des propriétés électriques. Un capteur comprend une structure qui a un ou plusieurs vides répartis dans la structure. Le capteur comprend également une matière déposée dans le ou les vides. La matière peut être caractérisée par une ou plusieurs propriétés électriques telles que la piézorésistivité. Le capteur comprend un premier contact électriquement couplé à une première position sur la matière et un second contact électriquement couplé à une seconde position sur la matière.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)