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1. (WO2013049173) PROFIL ENTERRÉ AMÉLIORÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/049173    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/057294
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 26.09.2012
CIB :
H01L 21/762 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US) (Tous Sauf US).
SAPRE, Kedar [IN/US]; (US) (US only).
INGLE, Nitin K. [US/US]; (US) (US only).
TANG, Jing [CN/US]; (US) (US only)
Inventeurs : SAPRE, Kedar; (US).
INGLE, Nitin K.; (US).
TANG, Jing; (US)
Mandataire : BERNARD, Eugene J.; Kilpatrick Townsend & Stockton LLP Two Embarcadero Center, 8th Floor San Francisco, California 94111 (US)
Données relatives à la priorité :
61/539,279 26.09.2011 US
13/624,724 21.09.2012 US
Titre (EN) IMPROVED INTRENCH PROFILE
(FR) PROFIL ENTERRÉ AMÉLIORÉ
Abrégé : front page image
(EN)A method of etching a recess in a semiconductor substrate is described. The method may include forming a dielectric liner layer in a trench of the substrate where the liner layer has a first density. The method may also include depositing a second dielectric layer at least partially in the trench on the liner layer. The second dielectric layer may initially be flowable following the deposition, and have a second density that is less than the first density of the liner. The method may further include exposing the substrate to a dry etchant, where the etchant removes a portion of the first liner layer and the second dielectric layer to form a recess, where the dry etchant includes a fluorine-containing compound and molecular hydrogen, and where the etch rate ratio for removing the first dielectric liner layer to removing the second dielectric layer is about 1:1.2 to about 1:1.
(FR)La présente invention concerne un procédé de gravure d'un évidement dans un substrat semi-conducteur. Le procédé peut impliquer de former une couche de revêtement diélectrique dans une tranchée du substrat, ladite couche de revêtement présentant une première densité. Le procédé peut également impliquer de déposer une seconde couche diélectrique au moins partiellement dans la tranchée, sur la couche de revêtement. La seconde couche diélectrique peut, au départ, être fluide après le dépôt et présenter une seconde densité qui est inférieure à la première densité du revêtement. Le procédé peut en outre impliquer l'exposition du substrat à un agent de gravure sèche, ledit agent de gravure éliminant une partie de la première couche de revêtement et de la seconde couche diélectrique pour former un évidement, ledit agent de gravure sèche renfermant un composé contenant du fluor et de l'hydrogène moléculaire, le rapport de vitesse de gravure pour éliminer la première couche de revêtement diélectrique par rapport à l'élimination de la seconde couche diélectrique étant compris entre environ 1:1,2 et environ 1:1.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)