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1. (WO2013048769) MOTIF MULTICOUCHE OBTENU PAR PROCESSUS ALD ALTERNÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/048769    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/055299
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 14.09.2012
CIB :
H01L 21/44 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo, 107-6325 (JP) (Tous Sauf US).
O'MEARA, David, L. [US/US]; (US) (US Seulement).
MOSDEN, Aelan [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : O'MEARA, David, L.; (US).
MOSDEN, Aelan; (US)
Mandataire : LUDVIKSSON, Audunn; 2545 W. Frye Road, Suite 1 Chandler, AZ 85224 (US)
Données relatives à la priorité :
13/250,937 30.09.2011 US
Titre (EN) MULTI-LAYER PATTERN FROM ALTERNATE ALD PROCESSES
(FR) MOTIF MULTICOUCHE OBTENU PAR PROCESSUS ALD ALTERNÉS
Abrégé : front page image
(EN)A method of patterning a substrate. A sacrificial film is formed over a substrate and a pattern created therein. A first spacer layer is conformally deposited over the patterned sacrificial film and then at least one horizontal portion of the first spacer layer is removed while leaving the vertical portions of the first spacer layer. A second spacer layer is conformally deposited over the patterned sacrificial film and the remaining portions of the first spacer layer. Then, at least one horizontal portion of the second spacer layer is removed while leaving the vertical portions of the second spacer layer. Conformal deposition of the first and second spacer layers is optionally repeated one or more times. Conformal deposition of the first layer is optionally repeated. Then, one of the first spacer layer or the second spacer layer is removed while substantially leaving the vertical portions of the remaining one of the first or second spacer layers.
(FR)L'invention porte sur un procédé de formation des motifs d'un substrat. Un film sacrificiel est formé sur un substrat et un motif est créé dedans. Une première couche d'espacement est déposée en s'adaptant au film sacrificiel à motif, puis au moins une partie horizontale de la première couche d'espacement est éliminée tout en laissant les parties verticales de la première couche d'espacement. Une seconde couche d'espacement est déposée en s'adaptant au film sacrificiel à motif et aux parties restantes de la première couche d'espacement. Ensuite, au moins une partie horizontale de la seconde couche d'espacement est éliminée tout en laissant les parties verticales de la seconde couche d'espacement. Un dépôt s'adaptant aux première et seconde couches d'espacement est facultativement répété une ou plusieurs fois. Un dépôt s'adaptant à la première couche est facultativement répété. Puis, une couche parmi la première couche d'espacement et la seconde couche d'espacement est éliminée tout en laissant sensiblement les parties verticales de la couche restante parmi les première et seconde couches d'espacement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)