WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2013048767) PROCESSUS COMBINÉ DE GRAVURE D'OXYDE DE SILICIUM ET DE RETRAIT DE CONTAMINATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/048767    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/055288
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 14.09.2012
CIB :
H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo, 107-6325 (JP) (Tous Sauf US).
GAYLORD, Richard, H. [US/US]; (US) (US Seulement).
MESSER, Blaze, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
KUMAR, Kaushik, A. [IN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : GAYLORD, Richard, H.; (US).
MESSER, Blaze, J.; (US).
KUMAR, Kaushik, A.; (US)
Mandataire : LUDVIKSSON, Audunn; 2545 W. Frye Road, Suite 1 Chandler, AZ 85224 (US)
Données relatives à la priorité :
13/250,960 30.09.2011 US
Titre (EN) COMBINED SILICON OXIDE ETCH AND CONTAMINATION REMOVAL PROCESS
(FR) PROCESSUS COMBINÉ DE GRAVURE D'OXYDE DE SILICIUM ET DE RETRAIT DE CONTAMINATION
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a semiconductor device. A substrate having first and second materials is provided, wherein the second material is occluded by the first material. The substrate is etched using a first non-plasma etch process that etches the first material at a higher rate relative to a rate of etching the second material. The first non-plasma etch process exposes the second material that is overlying at least a portion of the first material. The second material is then etched using a plasma containing a reactive gas, which exposes the at least a portion of the first material. The first material including the at least a portion of the first material that was exposed by etching the second material are etched using a second non- plasma etch process.
(FR)La présente invention concerne un procédé de formation d'un dispositif semi-conducteur. Un substrat comportant un premier et un second matériau est mis à disposition, le second matériau étant occlus par le premier matériau. Le substrat est gravé en utilisant un premier processus de gravure autre que par plasma qui grave le premier matériau à une vitesse plus élevée par rapport à une vitesse de gravure du second matériau. Le premier processus de gravure autre que par plasma expose le second matériau qui recouvre au moins une partie du premier matériau. Le second matériau est ensuite gravé en utilisant un plasma contenant un gaz réactif, ce qui expose la ou les parties du premier matériau. Le premier matériau, comprenant la ou les parties du premier matériau qui ont été exposées en gravant le second matériau, est gravé en utilisant un second processus de gravure autre que par plasma.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)