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1. (WO2013048657) SYSTÈME ET PROCÉDÉ POUR INJECTION DE GAZ DE HAUTE PRÉCISION DANS UN SYSTÈME DE LASER À DÉCHARGE DE GAZ À DEUX CHAMBRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/048657    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/052722
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 28.08.2012
CIB :
H01S 3/097 (2006.01)
Déposants : CYMER, LLC [US/US]; (a Nevada Corporation) 17075 Thornmint Court San Diego, CA 92127-2413 (US) (Tous Sauf US).
RIGGS, Daniel, J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : RIGGS, Daniel, J.; (US)
Mandataire : NGUYEN, Joseph, A.; Cymer, LLC Legal Dept., Ms/4-2d 17075 Thornmint Court San Diego, CA 92127-2413 (US)
Données relatives à la priorité :
13/251,181 30.09.2011 US
Titre (EN) SYSTEM AND METHOD FOR HIGH ACCURACY GAS INJECT IN A TWO CHAMBER GAS DISCHARGE LASER SYSTEM
(FR) SYSTÈME ET PROCÉDÉ POUR INJECTION DE GAZ DE HAUTE PRÉCISION DANS UN SYSTÈME DE LASER À DÉCHARGE DE GAZ À DEUX CHAMBRES
Abrégé : front page image
(EN)[0090} Systems and methods for automatically performing a high accuracy gas inject in a laser chamber of a two chamber gas discharge laser such as an excimer laser are disclosed. A mathematical model, relates the amount of halogen gas in the laser chamber after an inject to the amount of halogen gas present prior to the inject, the amount of halogen gas injected., and the consumption rate of halogen gas in the chamber, A fixed amount of halogen gas is added to the chamber in an initial number of injects to allow transients to settle out, after which the amount of halogen gas to be injected is that calculated to result in a desired amount of halogen gas after the inject according to the model. Measurements are taken after injects to update the actual amount of halogen gas present and the consumption rate of the halogen gas.
(FR)L'invention porte sur des systèmes et sur des procédés pour effectuer automatiquement une injection de gaz de haute précision dans une chambre de laser d'un laser à décharge de gaz à deux chambres tel qu'un laser excimère. Un modèle mathématique concerne la quantité de gaz halogène dans la chambre de laser après une injection sur la quantité de gaz halogène présente avant l'injection, la quantité de gaz halogène injectée et le débit de consommation de gaz halogène dans la chambre. Une quantité fixe de gaz halogène est ajoutée à la chambre dans un nombre initial d'injections afin de permettre à des transitoires de se stabiliser, après quoi la quantité de gaz halogène à injecter qui est calculée produit en résultat une quantité désirée de gaz halogène après l'injection selon le modèle. Des mesures sont prises après les injections afin de mettre à jour la quantité réelle de gaz halogène présente et le débit de consommation du gaz halogène.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)