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1. (WO2013048620) CONDITIONNEMENT DE PLAQUETTE RECONSTITUÉE À PUCE ACTIVE DISCRÈTE À HAUTE TENSION ET PLAQUE DE CHAMP INTÉGRÉE POUR LA STABILITÉ DU COURANT DE FUITE À HAUTE TEMPÉRATURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/048620    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/049690
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 06.08.2012
CIB :
H01L 23/58 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 23/538 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01)
Déposants : MEDTRONIC, INC. [US/US]; 710 Medtronic Parkway NE. Minneapolis, Minnesota 55432 (US) (Tous Sauf US).
BOONE, Mark, A. [US/US]; (US) (US Seulement).
ASKARINYA, Mohsen [US/US]; (US) (US Seulement).
TYLER, Larry, E. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BOONE, Mark, A.; (US).
ASKARINYA, Mohsen; (US).
TYLER, Larry, E.; (US)
Mandataire : MBURU, Evans, M.; Medtronic, Inc. 710 Medtronic Parkway NE. Minneapolis, MN 55432 (US)
Données relatives à la priorité :
61/541,596 30.09.2011 US
13/556,385 24.07.2012 US
Titre (EN) RECONSTITUTED WAFER PACKAGE WITH HIGH VOLTAGE DISCRETE ACTIVE DICE AND INTEGRATED FIELD PLATE FOR HIGH TEMPERATURE LEAKAGE CURRENT STABILITY
(FR) CONDITIONNEMENT DE PLAQUETTE RECONSTITUÉE À PUCE ACTIVE DISCRÈTE À HAUTE TENSION ET PLAQUE DE CHAMP INTÉGRÉE POUR LA STABILITÉ DU COURANT DE FUITE À HAUTE TEMPÉRATURE
Abrégé : front page image
(EN)A reconstituted wafer level package for a versatile high-voltage capable component is disclosed. The reconstituted wafer package includes a dice substantially encapsulated by a mold material except for a first face. A dielectric layer is disposed on the first face of the dice. The package further includes an array of ball bumps formed on an exterior facing portion of the dielectric layer. Further, a field plate is disposed within the dielectric material and interposed between the first face of the dice and the ball bump array. The field plate may be spaced from the dice by a predetermined distance to prevent dielectric breakdown of the material of the dielectric layer.
(FR)L'invention concerne un conditionnement de plaquette reconstituée pour un composant polyvalent capable de haute tension. Le conditionnement de plaquette reconstituée comprend une puce sensiblement encapsulée par un matériau de moulage à l'exception d'une première face. Une couche diélectrique est disposée sur la première face de la puce. Le conditionnement comprend en outre une matrice de billes formée sur une partie tournée vers l'extérieur de la couche diélectrique. En outre, une plaque de champ est disposée dans le matériau diélectrique et intercalée entre la première face de la puce et la matrice de billes. La plaque de champ peut être séparée de la puce d'une distance prédéterminée pour éviter la coupure diélectrique du matériau de la couche diélectrique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)