WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2013048513) FABRICATION D'AILETTE DE TRANSISTOR NON PLAN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/048513    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/054459
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 30.09.2011
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95052 (US) (Tous Sauf US).
JOSHI, Subhash M. [IN/US]; (US) (US Seulement).
HATTENDORF, Michael [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : JOSHI, Subhash M.; (US).
HATTENDORF, Michael; (US)
Mandataire : WINKLE, Robert G.; Winkle, PLLC c/o CPA GLOBAL P.O. Box 52050 Minneapolis, Minnesota 55402 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) NON-PLANAR TRANSITOR FIN FABRICATION
(FR) FABRICATION D'AILETTE DE TRANSISTOR NON PLAN
Abrégé : front page image
(EN)The present description relates to the field of fabricating microelectronic devices having non-planar transistors. Embodiments of the present description relate to the doping of fins within non-planar transistors, wherein a conformal blocking material layer, such as a dielectric material, may be used to achieve a substantially uniform doping throughout the non-planar transistor fins.
(FR)La présente invention concerne le domaine de la fabrication de dispositifs microélectroniques comportant des transistors non plans. Des modes de réalisation de la présente invention concernent le dopage d'ailettes dans des transistors non plans, permettant d'utiliser une couche de matériau de blocage conforme, tel que du matériau diélectrique, pour réaliser un dopage sensiblement uniforme d'un bout à l'autre des ailettes de transistor non plan.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)