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1. (WO2013048455) TRANSISTORS NON PLANAIRES ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/048455    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/054329
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 30.09.2011
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95052 (US) (Tous Sauf US).
JOSHI, Subhash M. [IN/US]; (US) (US Seulement).
HATTENDORF, Michael [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : JOSHI, Subhash M.; (US).
HATTENDORF, Michael; (US)
Mandataire : WINKLE, Robert G.; Winkle, PLLC c/o CPA GLOBAL P.O. Box 52050 Minneapolis, Minnesota 55402 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) NON-PLANAR TRANSISTORS AND METHODS OF FABRICATION THEREOF
(FR) TRANSISTORS NON PLANAIRES ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)The present description relates to the formation source/drain structures within non-planar transistors, wherein fin spacers are removed from the non-planar transistors in order to form the source/drain structures from the non-planar transistor fins or to replace the non-planar transistor fins with appropriate materials to form the source/drain structures.
(FR)La présente invention concerne les structures de source/drain de formations à l'intérieur de transistors non planaires, des espaceurs d'ailettes étant enlevés des transistors non planaires dans le but de former les structures de source/drain à partir des ailettes des transistors non planaires ou de remplacer les ailettes de transistors non planaires avec des matériaux appropriés afin de former les structures de source/drain.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)