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1. (WO2013048400) MÉMOIRE NON-ET VERTICALE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/048400    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/053836
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 29.09.2011
CIB :
G11C 16/14 (2006.01), G11C 16/12 (2006.01), G11C 16/02 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95052 (US) (Tous Sauf US).
LIU, Zengtao [CN/US]; (US) (US Seulement).
WOLSTENHOLME, Graham [GB/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LIU, Zengtao; (US).
WOLSTENHOLME, Graham; (US)
Mandataire : COOL, Kenneth; c/o CPA GLOBAL P.O. Box 52050 Minneapolis, Minnesota 55402 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) VERTICAL NAND MEMORY
(FR) MÉMOIRE NON-ET VERTICALE
Abrégé : front page image
(EN)A vertical NAND structure includes one or more mid-string devices having at least two functional modes. In the first mode, the one or more mid-string devices couple the bodies of stacks of NAND memory cells to the substrate for erase operations. In the second mode, the one or more mid-string devices couple the body of a first stack of NAND memory cells to a body of a second stack of memory NAND memory cells, allowing the two stacks operate as a single NAND string for read and programming operations.
(FR)La présente invention concerne une structure NON-ET verticale comprenant au moins un dispositif de milieu de chaîne capable d'au moins deux modes de fonctionnement. Dans le premier mode, le dispositif de milieu de chaîne considéré couple au substrat les corps des piles de cellules de mémoire NON-ET pour les opérations d'effacement. Dans le second mode, le dispositif de milieu de chaîne considéré couple, à un corps d'une seconde pile de cellules de mémoire NON-ET de la mémoire, le corps d'une première pile de cellules de mémoire NON-ET, ce qui permet aux deux piles de fonctionner comme une unique chaîne NON-ET pour les opérations de lecture et de programmation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)