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1. (WO2013048347) DISPOSITIF FERROÉLECTRIQUE À BASE DE GRAPHÈNE ET CONTRÔLE OPTOÉLECTRONIQUE DE DISPOSITIF DE MÉMOIRE FERROÉLECTRIQUE À BASE DE GRAPHÈNE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/048347    N° de la demande internationale :    PCT/SG2012/000366
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 01.10.2012
CIB :
H01L 29/772 (2006.01), H01L 29/16 (2006.01), B82Y 10/00 (2011.01), G11B 7/241 (2006.01), G11B 9/02 (2006.01), G11C 11/22 (2006.01), G11C 11/56 (2006.01), G11C 13/02 (2006.01)
Déposants : NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE [SG/SG]; 21 Lower Kent Ridge Road Singapore 119077 (SG)
Inventeurs : OZYILMAZ, Barbaros; (SG).
KAHYA, Orhan; (SG).
TOH, Chee Tat; (SG).
JAISWAL, Manu; (SG).
SAHA, Surajit; (SG)
Mandataire : AMICA LAW LLC; 30 Raffles Place #18-03/04 Chevron House Singapore 048622 (SG)
Données relatives à la priorité :
61/540,593 29.09.2011 US
61/569,357 12.12.2011 US
Titre (EN) GRAPHENE FERROELECTRIC DEVICE AND OPTO-ELECTRONIC CONTROL OF GRAPHENE FERROELECTRIC MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF FERROÉLECTRIQUE À BASE DE GRAPHÈNE ET CONTRÔLE OPTOÉLECTRONIQUE DE DISPOSITIF DE MÉMOIRE FERROÉLECTRIQUE À BASE DE GRAPHÈNE
Abrégé : front page image
(EN)In accordance with an embodiment of the invention, there is provided a graphene ferroelectric device. The device comprises a graphene transistor channel and a ferroelectric gate of the graphene transistor channel, the ferroelectric gate comprising a linear polarization at a first applied gate voltage less than a threshold voltage, and a hysteretic polarization at a second applied gate voltage greater than the threshold voltage. The device may be configured to undergo optical switching of the graphene transistor channel between a high resistance state and a low resistance state in response to photoillumination of the device.
(FR)Conformément à un mode de réalisation de l'invention, il est proposé un dispositif ferroélectrique à base de graphène. Le dispositif comprend un canal de transistor de graphène et une grille ferroélectrique du canal de transistor de graphène, la grille ferroélectrique comprenant une polarisation linéaire à une première tension de grille appliquée inférieure à une tension de seuil, et une polarisation d'hystérésis à une seconde tension de grille appliquée supérieure à la tension de seuil. Le dispositif peut être configuré pour subir une commutation optique du canal de transistor de graphène entre un état de résistance élevée et un état de faible résistance en réponse au photo-éclairage du dispositif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)