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1. (WO2013048006) FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT AYANT UNE STRUCTURE DOUBLE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/048006    N° de la demande internationale :    PCT/KR2012/006462
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 14.08.2012
CIB :
H01L 31/042 (2006.01), H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/0236 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : KOREA INSTITUTE OF ENERGY RESEARCH [KR/KR]; 152 Gajeong-ro, Yuseong-gu Daejeon 305-343 (KR) (Tous Sauf US).
CHO, Jun-Sik [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
PARK, Sang-Hyun [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
YUN, Jae-Ho [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
PARK, Joo-Hyung [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
SHIN, Kee-Shik [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
YOO, Jin-Su [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
YOON, Kyung-Hoon [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : CHO, Jun-Sik; (KR).
PARK, Sang-Hyun; (KR).
YUN, Jae-Ho; (KR).
PARK, Joo-Hyung; (KR).
SHIN, Kee-Shik; (KR).
YOO, Jin-Su; (KR).
YOON, Kyung-Hoon; (KR)
Mandataire : DAWOOL PATENT AND LAW FIRM; 5th Floor, Hyejeon Bldg. 224 Bongeunsa-ro, Gangnarn-gu Seoul 135-913 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2011-0098571 28.09.2011 KR
Titre (EN) TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM HAVING A DUAL STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT AYANT UNE STRUCTURE DOUBLE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(KO) 이중구조의 투명전도막 및 그 제조방법
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a transparent conductive film having excellent electrical properties and light-trapping capability and a method for manufacturing same. The transparent conductive film having a dual structure according to the present invention is one used as an anti-front reflective film, a front electrode, or a rear reflective film of a solar cell and includes: a light-transmitting layer; and a light-trapping layer, one surface of which comes into contact with the light-transmitting layer and the other surface of which has a surface textured structure, wherein the electric conductivity (A) of the light-transmitting layer and that of (a) the light-trapping layer have a relation of A>a, and the etching performance (B) of the light-transmitting layer and that of (b) the light-trapping layer have a relation of Ba, and the etching performance (B) of the light-transmitting layer and that of (b) the light-trapping layer has a relation of B
(FR)La présente invention concerne un film conducteur transparent ayant d'excellentes propriétés électriques et capacité de piégeage de lumière et un procédé de fabrication de celui-ci. Le film conducteur transparent ayant une structure double selon la présente invention est un film utilisé en tant que film antireflet avant, électrode avant ou un film réfléchissant arrière d'une cellule solaire et comprend : une couche d'émission de lumière; et une couche de piégeage de lumière, dont une surface vient en contact avec la couche d'émission de lumière et dont l'autre surface a une structure texturée en surface, la conductivité électrique (A) de la couche d'émission de lumière et celle de (a) la couche de piégeage de lumière ayant une relation A>a, et la performance de gravure (B) de la couche d'émission de lumière et celle de (b) la couche de piégeage de lumière ayant une relation Ba, et la performance de gravure (B) de la couche d'émission de lumière et celle de (b) la couche de piégeage de lumière ayant une relation B
(KO)본 발명은 전기적 특성과 광포획 능력이 모두 뛰어난 투명전도막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 의한 이중구조 투명전도성막은, 태양전지의 전면 반사 방지막이나 전면전극 또는 후면 반사막으로 사용되는 투명전도막으로서, 광투과층과; 일면은 상기 광투과층에 접하고, 타면에는 표면 텍스처 구조가 형성된 광포획층으로 구성되며, 상기 광투과층의 전기전도도 A와 상기 광포획층의 전기전도도 a는 A>a의 관계가 있고, 상기 광투과층의 에칭성 B와 상기 광포획층의 에칭성 b는 Ba의 관계가 있고, 상기 광투과층의 에칭성 B와 상기 광포획층의 에칭성 b는 B
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)