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1. (WO2013047947) AMPLIFICATEUR LINÉAIRE ET AMPLIFICATEUR LINÉAIRE À PLUSIEURS ÉTAGES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/047947    N° de la demande internationale :    PCT/KR2011/008409
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 07.11.2011
CIB :
H03F 1/22 (2006.01), H03F 1/32 (2006.01)
Déposants : SOONGSIL UNIVERSITY RESEARCH CONSORTIUM TECHNO-PARK [KR/KR]; 511, Sangdo-dong, Dongjak-gu, Seoul 156-030 (KR) (Tous Sauf US).
PARK, Jong-Hoon [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, Chang-Hyun [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
PARK, Chang-Kun [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : PARK, Jong-Hoon; (KR).
LEE, Chang-Hyun; (KR).
PARK, Chang-Kun; (KR)
Mandataire : TAEBAEK INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; #906, Kolon technovalley 60-4 Gasan-dong, Geumcheon-gu Seoul 153-770 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2011-0099614 30.09.2011 KR
Titre (EN) LINEAR AMPLIFIER AND MULTISTAGE LINEAR AMPLIFIER
(FR) AMPLIFICATEUR LINÉAIRE ET AMPLIFICATEUR LINÉAIRE À PLUSIEURS ÉTAGES
(KO) 선형 증폭기 및 다단 선형 증폭기
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a linear amplifier and a multistage linear amplifier. The linear amplifier according to an embodiment of the present invention comprises: a common source transistor, the gate of which is connected to an input node; a first common gate transistor connected to the common source transistor in a cascode form and having a drain thereof connected to an output node; and a second common gate transistor connected to the first common gate transistor in parallel and having a gate thereof connected to the input node and a drain thereof connected to the output node, to thereby improve the overall linearity of the linear amplifier.
(FR)La présente invention porte sur un amplificateur linéaire et un amplificateur linéaire à plusieurs étages. L'amplificateur linéaire selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : un transistor monté en source commune, dont la grille est connectée à un nœud d'entrée ; un premier transistor monté en grille commune connecté au transistor monté en source commune en forme cascode et dont le drain est connecté à un nœud de sortie ; et un second transistor monté en grille commune connecté au premier transistor monté en grille commune en parallèle et dont la grille est connectée au nœud d'entrée et le drain est connecté au nœud de sortie, de manière à améliorer la linéarité globale de l'amplificateur linéaire.
(KO)본 발명은 선형 증폭기 및 다단 선형 증폭기에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 선형 증폭기는 게이트가 입력 노드와 연결되는 공통 소스 트랜지스터와, 상기 공통 소스 트랜지스터와 캐스코드 형태로 연결되고, 드레인이 출력 노드와 연결되는 제1 공통 게이트 트랜지스터와, 상기 제1 공통 게이트 트랜지스터와 병렬로 연결되되, 게이트가 상기 입력 노드와 연결되고, 드레인이 상기 출력 노드와 연결되는 제2 공통 게이트 트랜지스터를 포함함으로써, 선형 증폭기의 전체적인 선형성을 향상시킬 수 있다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)