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1. (WO2013047674) FEUILLE DE DÉCOUPAGE EN DÉS À COUCHES DE FORMATION DE FILM PROTECTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PUCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/047674    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/074923
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 27.09.2012
CIB :
H01L 21/301 (2006.01), C09J 7/02 (2006.01), C09J 201/00 (2006.01)
Déposants : LINTEC CORPORATION [JP/JP]; 23-23 Honcho, Itabashi-ku, Tokyo 1730001 (JP)
Inventeurs : SHINODA, Tomonori; (JP).
FURUDATE, Masaaki; (JP).
TAKANO, Ken; (JP)
Mandataire : MAEDA, Hitoshi; MAEDA & SUZUKI, 2F, Tokyodo Jinboucho 3rd Bldg., 1-17, Kandajinboucho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010051 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-217767 30.09.2011 JP
2011-217769 30.09.2011 JP
Titre (EN) DICING SHEET WITH PROTECTIVE FILM FORMING LAYER AND CHIP FABRICATION METHOD
(FR) FEUILLE DE DÉCOUPAGE EN DÉS À COUCHES DE FORMATION DE FILM PROTECTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PUCE
(JA) 保護膜形成層付ダイシングシートおよびチップの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] To provide a dicing sheet with a protective film forming layer that makes it possible to easily fabricate a semiconductor chip having a protective film with high film thickness uniformity and excellent printing accuracy, and that is expandable and uses a heat resistant substrate material. [Solution] A dicing sheet with a protective film forming layer according to the present invention has a substrate film, an adhesive layer, and a protective film forming layer, and at a minimum, the adhesive layer is formed in an area surrounding the protective film forming layer in a planar view, and the substrate film has the following characteristics (a)-(c): (a) the melting point either exceeds 130°C or the film has no melting point; (b) the thermal contraction rate under conditions of heating at 130°C for two hours is from -5 to +5%, and (c) the degree of elongation-to-break in the MD direction and the CD direction is at least 100%, and the stress at 25% is no more than 100 MPa.
(FR)Le problème à résoudre est de produire une feuille de découpage en dés portant une couche de formation de film protecteur qui rend possible de fabriquer facilement une puce de semi-conducteur portant un film protecteur ayant une grande uniformité d'épaisseur de film et une excellente précision d'impression, et qui soit extensible et utilise un matériau de substrat résistant à la chaleur. A cet effet, une feuille de découpage en dés à couche de formation de film protecteur selon la présente invention comprend un film de substrat, une couche adhésive, et une couche de formation de film protecteur, et au minimum, la couche adhésive est formée dans une zone entourant la couche de formation de film protecteur en vue plane, et le film de substrat possède les propriétés (a)-(c) suivante : (a) soit le point de fusion dépasse 130°C soit le film n'a pas de point de fusion ; (b) le taux de contraction thermique dans des conditions de chauffage à 130°C pendant deux heures est de -5 à +5 %, et (c) le degré d'allongement à la rupture dans la direction MD et la direction CD est d'au moins 100 %, et la contrainte à 25 % est inférieure ou égale à 100 MPa.
(JA)【課題】厚みの均一性が高く、印字精度に優れる保護膜を有する半導体チップを簡便に製造可能であり、かつエキスパンドが可能で基材が耐熱性を備えた保護膜形成層付ダイシングシートを提供すること。 【解決手段】本発明に係る保護膜形成層付ダイシングシートは、基材フィルムと粘着剤層と保護膜形成層とを有し、粘着剤層は平面視で少なくとも保護膜形成層を取り囲む領域に形成されており、基材フィルムが次の(a)~(c)の特性を備える:(a)融点が130℃を超えるか、もしくは融点を持たない、(b)130℃で2時間加熱時における熱収縮率が-5~+5%、(c)MD方向およびCD方向の破断伸度が100%以上、25%応力が100MPa以下。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)