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1. (WO2013047629) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/047629    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/074814
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 20.09.2012
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP) (Tous Sauf US).
HONDA, Tatsuya [JP/JP]; (JP) (US only).
TSUBUKU, Masashi; (US only).
NONAKA, Yusuke; (US only).
SHIMAZU, Takashi; (US only).
YAMAZAKI, Shunpei; (US only)
Inventeurs : HONDA, Tatsuya; (JP).
TSUBUKU, Masashi; .
NONAKA, Yusuke; .
SHIMAZU, Takashi; .
YAMAZAKI, Shunpei;
Données relatives à la priorité :
2011-215682 29.09.2011 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device includes a gate electrode, a gate insulating film which includes oxidized material containing silicon and covers the gate electrode, an oxide semiconductor film provided to be in contact with the gate insulating film and overlap with at least the gate electrode, and a source electrode and a drain electrode electrically connected to the oxide semiconductor film. In the oxide semiconductor film, a first region which is provided to be in contact with the gate insulating film and have a thickness less than or equal to 5 nm has a silicon concentration lower than or equal to 1.0 at. %, and a region in the oxide semiconductor film other than the first region has lower silicon concentration than the first region. At least the first region includes a crystal portion.
(FR)La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur qui comprend une électrode de grille, un film isolant de grille qui comprend un matériau oxydé contenant du silicium et qui recouvre l'électrode de grille, un film semi-conducteur d'oxyde prévu pour être en contact avec le film isolant de grille et chevaucher au moins l'électrode de grille, et une électrode de source et une électrode de drain électriquement connectées au film semi-conducteur d'oxyde. Dans le film semi-conducteur d'oxyde, une première région qui est prévue pour être en contact avec le film isolant de grille et avoir une épaisseur inférieure ou égale à 5 nm possède une concentration en silicium inférieure ou égale à 1,0 % at., et une région dans le film semi-conducteur d'oxyde autre que la première région possède une concentration en silicium plus faible que la première région. Au moins la première région comprend une partie cristalline.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)