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1. (WO2013047506) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE LAVAGE DE MATÉRIAU DE DISPOSITIF DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS AU NITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/047506    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/074536
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 25.09.2012
CIB :
H01L 21/304 (2006.01), B08B 7/00 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : TAIYO NIPPON SANSO CORPORATION [JP/JP]; 3-26, Koyama 1-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1428558 (JP)
Inventeurs : ARIMURA Tadanobu; (JP).
TABUCHI Toshiya; (JP)
Mandataire : SHIGA Masatake; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-210423 27.09.2011 JP
Titre (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR FABRICATION DEVICE MATERIAL WASHING METHOD AND NITRIDE SEMICONDUCTOR FABRICATION DEVICE MATERIAL WASHING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE LAVAGE DE MATÉRIAU DE DISPOSITIF DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS AU NITRURE
(JA) 窒化物半導体製造装置用部材の洗浄方法、及び窒化物半導体製造装置用部材の洗浄装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method of washing, among materials which configure a nitride semiconductor fabrication device, a nitride semiconductor fabrication device material (13) including nitride semiconductors to which deposits have adhered, said method comprising: a step of chemical processing the nitride semiconductor fabrication device material with a washing gas including chlorinated gas; and a step of blowing a sublimating solid substance and removing the deposits from the nitride semiconductor fabrication device material (13).
(FR)L'invention concerne un procédé de lavage, parmi des matériaux qui constituent un dispositif de fabrication de semi-conducteurs au nitrure, un matériau de dispositif de fabrication de semi-conducteurs au nitrure (13) qui comprend des semi-conducteurs au nitrure sur lesquels des dépôts ont adhéré. Ledit procédé comprend : une étape de traitement chimique du matériau de dispositif de fabrication de semi-conducteurs au nitrure avec un gaz de lavage qui contient du gaz chloré ; et une étape de soufflage d'une substance solide de sublimation et de retrait des dépôts du matériau de dispositif de fabrication de semi-conducteurs au nitrure (13).
(JA)窒化物半導体製造装置を構成する部材のうち、窒化物半導体を含む堆積物が付着した窒化物半導体製造装置用部材(13)の洗浄方法であって、塩素系ガスを含む洗浄ガスにより、窒化物半導体製造装置用部材を化学処理する工程と、昇華性を有した固体状物質を吹き付けて、窒化物半導体製造装置用部材(13)から堆積物を除去する工程と、を含む。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)