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1. (WO2013047475) SILICIURE DE MAGNÉSIUM, MATÉRIAU DE CONVERSION THERMOÉLECTRIQUE, CORPS FRITTÉ, CORPS FRITTÉ POUR ÉLÉMENT DE CONVERSION THERMOÉLECTRIQUE, ÉLÉMENT DE CONVERSION THERMOÉLECTRIQUE, ET MODULE DE CONVERSION THERMOÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2013/047475 N° de la demande internationale : PCT/JP2012/074480
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 25.09.2012
CIB :
C01B 33/06 (2006.01) ,H01L 35/14 (2006.01) ,H01L 35/34 (2006.01)
Déposants : IIDA, Tsutomu[JP/JP]; JP (US)
MITO, Takatoshi[JP/JP]; JP (US)
MIYAHARA, Ryousuke[JP/JP]; JP (US)
SAKAMOTO, Tatsuya[JP/JP]; JP (US)
SAKURAGI, Shiro[JP/JP]; JP (US)
TAGUCHI, Yutaka[JP/JP]; JP (US)
MITO, Yohiko[JP/JP]; JP (US)
TOKYO UNIVERSITY OF SCIENCE EDUCATIONAL FOUNDATION ADMINISTRATIVE ORGANIZATION[JP/JP]; 1-3, Kagurazaka, Shinjuku-ku, Tokyo 1628601, JP (AllExceptUS)
DOW CORNING TORAY CO., LTD.[JP/JP]; 5-1, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : IIDA, Tsutomu; JP
MITO, Takatoshi; JP
MIYAHARA, Ryousuke; JP
SAKAMOTO, Tatsuya; JP
SAKURAGI, Shiro; JP
TAGUCHI, Yutaka; JP
MITO, Yohiko; JP
Mandataire : SHOBAYASHI, Masayuki; Sapia Tower, 1-7-12, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005, JP
Données relatives à la priorité :
2011-20977426.09.2011JP
Titre (EN) MAGNESIUM SILICIDE, THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL, SINTERED BODY, SINTERED BODY FOR THERMOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, THERMOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, AND THERMOELECTRIC CONVERSION MODULE
(FR) SILICIURE DE MAGNÉSIUM, MATÉRIAU DE CONVERSION THERMOÉLECTRIQUE, CORPS FRITTÉ, CORPS FRITTÉ POUR ÉLÉMENT DE CONVERSION THERMOÉLECTRIQUE, ÉLÉMENT DE CONVERSION THERMOÉLECTRIQUE, ET MODULE DE CONVERSION THERMOÉLECTRIQUE
(JA) マグネシウムシリサイド、熱電変換材料、焼結体、熱電変換素子用焼結体、熱電変換素子、及び熱電変換モジュール
Abrégé : front page image
(EN) Provided is a novel material containing a dopant having good compatibility with magnesium silicide. Co, Nb, Nd, Sm, Ta, and Zn are used as the dopant for doping the magnesium silicide. The amount of dopant contained in this magnesium silicide is not particularly limited, but the dopant content, as an atomic ratio, is preferably 0.10-2.00 at%. Also, a sintered body obtained by sintering this magnesium silicide can be ideally used as a thermoelectric conversion element.
(FR) La présente invention concerne un nouveau matériau contenant un agent dopant ayant une bonne compatibilité avec le siliciure de magnésium. Les Co, Nb, Nd, Sm, Ta, et Zn sont utilisés comme agents dopants pour doper le siliciure de magnésium. La quantité d'agent dopant contenu dans ce siliciure de magnésium n'est pas particulièrement limitée, mais la teneur en agent dopant, sous la forme d'un rapport atomique, est de préférence située dans la plage allant de 0,10 à 2,00 %. De plus, un corps fritté obtenu par frittage de ce siliciure de magnésium peut être idéalement utilisé comme élément de conversion thermoélectrique.
(JA)  マグネシウムシリサイドとの相性が良好なドーパントを含有する新規な材料を提供する。 マグネシウムシリサイドにドープするドーパントとして、Co、Nb、Nd、Sm、Ta及びZnを用いる。本発明のマグネシウムシリサイドに含まれるドーパントの量は特に限定されないが、上記のドーパントの含有量は、原子量比で0.10~2.00at%であることが好ましい。また、本発明のマグネシウムシリサイドを焼結してなる焼結体は、熱電変換素子として好ましく用いることができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)