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1. (WO2013047433) DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/047433    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/074385
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 24.09.2012
CIB :
H03H 9/145 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventeurs : KANDO, Hajime; (JP).
IWAMOTO, Hideki; (JP)
Mandataire : MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-216939 30.09.2011 JP
Titre (EN) ELASTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES
(JA) 弾性波装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is an elastic wave device that is less prone to fluctuation of frequency characteristics irrespective of fluctuation in the thickness of a piezoelectric body and is capable of improving an electromechanical coupling coefficient (k2). This elastic wave device (1) has a medium layer (3), a piezoelectric body (4), and IDT electrodes (5) that are laminated on a support substrate (2). The medium layer (3) is made of a medium that includes a low-speed medium in which a propagation speed of a bulk wave which is identical to the main oscillation component of an elastic wave used for propagating in the piezoelectric body is slower than the propagation speed of the elastic wave and a high-speed medium in which a propagation speed of the bulk wave which is identical to the main oscillation component of the elastic wave is faster than the propagation speed of the elastic wave.
(FR)L'invention porte sur un dispositif à ondes élastiques qui est moins sujet à une fluctuation de courbes de réponse en fréquence quelle que soit la fluctuation d'épaisseur d'un corps piézoélectrique et est apte à améliorer le coefficient de couplage électromécanique (k2). Ce dispositif à ondes élastiques (1) comprend une couche de milieu (3), un corps piézoélectrique (4) et des électrodes IDT (5) qui sont stratifiés sur un substrat de support (2). La couche de milieu (3) est faite d'un milieu qui comprend un milieu à faible vitesse dans lequel une vitesse de propagation d'une onde de volume qui est identique à la composante d'oscillation principale d'une onde élastique utilisée pour se propager dans le corps piézoélectrique est inférieure à la vitesse de propagation de l'onde élastique, et un milieu à grande vitesse dans lequel une vitesse de propagation de l'onde de volume qui est identique à la composante d'oscillation principale de l'onde élastique est plus rapide que la vitesse de propagation de l'onde élastique.
(JA) 圧電体の厚みばらつきの如何にかかわらず、周波数特性のばらつきが生じ難く、かつ電気機械結合係数kを高め得る弾性波装置を提供する。 支持基板2上に媒質層3、圧電体4及びIDT電極5が積層されており、前記媒質層3が圧電体を伝搬し、利用する弾性波の伝搬速度よりも、該弾性波の主振動成分と同じバルク波の伝搬速度が低い低速媒質と、該弾性波の主振動成分と同一のバルク波の伝搬速度が該弾性波の伝搬速度よりも高い高速媒質とを含む媒質からなる、弾性波装置1。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)