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1. (WO2013047361) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT À STRUCTURE DE COUCHE TAMPON POUR LA CROISSANCE DE COUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/047361    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/074204
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 21.09.2012
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (Tous Sauf US).
HONDA, Daisuke; (US only).
TERAGUCHI, Nobuaki; (US only).
ITO, Nobuyuki; (US only).
HOTEIDA, Masayuki; (US only).
MATSUBAYASHI, Masakazu; (US only)
Inventeurs : HONDA, Daisuke; .
TERAGUCHI, Nobuaki; .
ITO, Nobuyuki; .
HOTEIDA, Masayuki; .
MATSUBAYASHI, Masakazu;
Mandataire : Fukami Patent Office, p.c.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-209031 26.09.2011 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE HAVING BUFFER LAYER STRUCTURE FOR GROWING NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT À STRUCTURE DE COUCHE TAMPON POUR LA CROISSANCE DE COUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
(JA) 窒化物半導体層を成長させるためのバッファ層構造を有する基板の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for producing a substrate which has a buffer layer structure for growing a nitride semiconductor layer comprise: deposition of a first AlN buffer layer (2a) on the (111) main plane of an Si single crystal substrate (1) at a substrate temperature within the range from 600°C to 900°C (inclusive); and deposition of a second AlN buffer layer (2b) on the first AlN buffer layer at substrate temperature more than 900°C.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un substrat qui possède une structure de couche tampon, pour la croissance d'une couche de semi-conducteur au nitrure, et qui comporte : le dépôt d'une première couche tampon AlN (2a) sur le plan principal (111) d'un substrat en silicium monocristallin (1) à une température du substrat dans la plage allant de 600°C à 900°C (inclus) ; le dépôt d'une seconde couche tampon AlN (2b), sur la première couche tampon AlN, à une température du substrat supérieure à 900°C.
(JA) 窒化物半導体層を成長させるためのバッファ層構造を有する基板の製造方法は、Si単結晶基板(1)の(111)主面上において600℃以上900℃以下の範囲内の基板温度で第1のAlNバッファ層(2a)を堆積させ、この第1のAlNバッファ層上において900℃を超える基板温度で第2のAlNバッファ層(2b)を堆積させることを含む。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)