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1. (WO2013047104) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN LANTHANE DE HAUTE PURETÉ, LANTHANE DE HAUTE PURETÉ, CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE COMPRENANT UN LANTHANE DE HAUTE PURETÉ ET FILM DE GRILLE MÉTALLIQUE COMPRENANT DU LANTHANE DE HAUTE PURETÉ COMME COMPOSANT PRINCIPAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/047104    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/072409
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 04.09.2012
CIB :
C25C 3/34 (2006.01), C22B 9/22 (2006.01), C22C 28/00 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01)
Déposants : JX Nippon Mining & Metals Corporation [JP/JP]; 6-3, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164 (JP) (Tous Sauf US).
TAKAHATA Masahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SATOH Kazuyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
GOHARA Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NARITA Satoyasu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKAHATA Masahiro; (JP).
SATOH Kazuyuki; (JP).
GOHARA Takeshi; (JP).
NARITA Satoyasu; (JP)
Mandataire : OGOSHI Isamu; OGOSHI International Patent Office, HATSUMEIKAIKAN 5F, 9-14, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-212930 28.09.2011 JP
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCING HIGH-PURITY LANTHANUM, HIGH-PURITY LANTHANUM, SPUTTERING TARGET COMPRISING HIGH-PURITY LANTHANUM, AND METAL GATE FILM COMPRISING HIGH-PURITY LANTHANUM AS MAIN COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN LANTHANE DE HAUTE PURETÉ, LANTHANE DE HAUTE PURETÉ, CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE COMPRENANT UN LANTHANE DE HAUTE PURETÉ ET FILM DE GRILLE MÉTALLIQUE COMPRENANT DU LANTHANE DE HAUTE PURETÉ COMME COMPOSANT PRINCIPAL
(JA) 高純度ランタンの製造方法、高純度ランタン、高純度ランタンからなるスパッタリングターゲット及び高純度ランタンを主成分とするメタルゲート膜
Abrégé : front page image
(EN)High-purity lanthanum characterized in that the purity, in terms of the purity of the lanthanum excluding any rare-earth elements and any gas components, is 5 N or higher and the number of α-ray counts is 0.001 cph/cm2 or less; and a process for producing high-purity lanthanum, characterized by electrolyzing crude lanthanum metal, as a raw material, that has a purity, in terms of the purity of the crude metal excluding any gas components, of 4 N or lower, in a molten salt having a bath temperature of 450-700ºC to obtain lanthanum crystals, subsequently desalting the lanthanum crystals, and then melting the desalted lanthanum with electron beams to remove volatile substances therefrom and thereby regulate the purity, in terms of the purity of the lanthanum excluding any rare-earth elements and any gas components, to 5 N or higher and the number of α-ray counts to 0.001 cph/cm2 or less. The present invention addresses the problem of providing methods with which it is possible to efficiently and stably provide: high-purity lanthanum reduced in α rays; a sputtering target comprising the high-purity-material lanthanum; and a thin film for use as a metal gate, the thin film comprising the high-purity-material lanthanum as the main component.
(FR)L'invention concerne un lanthane de haute pureté caractérisé en ce que la pureté, en termes de la pureté du lanthane à l'exclusion de tous éléments des terres rares et de tous composants gazeux, est de 5 N ou plus et le nombre de comptages de rayon α est 0,001 cph/cm2 ou moins ; et un procédé de fabrication d'un lanthane de haute pureté caractérisé par l'électrolyse de lanthane métallique brut, comme matière première, qui a une pureté, en termes de la pureté du métal brut à l'exclusion de tous composants gazeux, de 4 N ou moins, dans un sel fondu ayant une température de bain de 450-700 °C pour obtenir des cristaux de lanthane, dessalage ultérieur des cristaux de lanthane, puis fusion du lanthane dessalé avec des faisceaux électroniques pour en éliminer les substances volatiles et de cette façon réguler la pureté, en termes de la pureté du lanthane à l'exclusion de tous éléments des terres rares et de tous composants gazeux, à 5 N ou plus et le nombre de comptages de rayon α à 0,001 cph/cm2 ou moins. La présente invention aborde le problème consistant à proposer des procédés avec lesquels il est possible de fournir de façon efficace et stable : du lanthane de pureté élevée réduit en rayons α ; une cible de pulvérisation cathodique comprenant le lanthane de matière de pureté élevée ; et un film mince destiné à être utilisé comme grille métallique, le film mince comprenant le lanthane de matière à haute pureté comme composant principal.
(JA)【要約書】 高純度ランタンであって、希土類元素及びガス成分を除いた純度が5N以上であり、α線カウント数が0.001cph/cm以下であることを特徴とする高純度ランタン。ガス成分を除く純度が4N以下の粗ランタン金属の原料を、浴温450~700°Cで溶融塩電解してランタン結晶を得、次にこのランタン結晶を、脱塩処理した後に、電子ビーム溶解して揮発性物質を除去し、希土類元素及びガス成分を除いた純度が5N以上であり、α線カウント数が0.001cph/cm以下とすることを特徴とする高純度ランタンの製造方法。低α線の高純度ランタン、高純度材料ランタンからなるスパッタリングターゲット及び高純度材料ランタンを主成分とするメタルゲート用薄膜を効率的かつ安定して提供できる技術を提供することを課題とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)