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1. (WO2013047101) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/047101    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/072396
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 03.09.2012
CIB :
H01L 23/48 (2006.01), H01L 23/28 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
Déposants : FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP) (Tous Sauf US).
TAKAMIYA, Yoshikazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KODAIRA, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ONISHI, Kazunaga [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKAMIYA, Yoshikazu; (JP).
KODAIRA, Yoshihiro; (JP).
ONISHI, Kazunaga; (JP)
Mandataire : SAKAI, Akinori; A. SAKAI & ASSOCIATES, 20F, Kasumigaseki Building, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006020 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-213574 28.09.2011 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置および半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This semiconductor device is composed of: a metal base (6); a wiring board (2) that is joined to the metal base (6); a semiconductor chip (1) and a control terminal (5) that are joined to circuit patterns (2a, 2b) of the wiring board (2); and a resin case (20) that is attached to the metal base (6). The control terminal (5) comprises: a pass-through section (5a) through which a cover (21) of the resin case (20) passes; a junction (5b) that is connected to the pass-through section (5a); and a connector (5c) that is connected to the junction (5b). A blocking section (5d) and a cutout section (5e) are disposed in an area through which the cover (21) of the control terminal (5) passes. The blocking section (5d) is contact with a step (21b) that is formed on the front of the cover (21). The blocking section (5d) is accommodated in the cutout section (5e) when the pass-through section (5a) passes through the cover (21) of the resin case (20). The junction (5b) is in contact with a protruding section (21c) disposed on the back of the cover (21).
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant : une base métallique (6); une carte de circuits (2) qui est montée sur la base métallique (6); une puce de semi-conducteur (1) et une borne de commande (5) qui sont reliés à des motifs de circuit (2a, 2b) de la carte de circuits (2); et un boîtier en résine (20) qui est fixé à la base métallique (6). La borne de commande (5) comprend : une section de traversée (5a) au travers de laquelle passe un couvercle (21) du boîtier en résine (20); une jonction (5b) qui est connectée à la section de traversée (5a); et un connecteur (5c) qui est connecté à la jonction (5b). Une section d'interception (5d) et une section découpée (5e) sont disposées dans une zone dans laquelle passe le couvercle (21) de la borne de commande (5). La section d'interception (5d) est au contact d'un échelon (21b) qui est formé sur la façade du couvercle (21). La section d'interception (5d) est logée dans la section découpée (5e) lorsque la section de traversée (5a) traverse le couvercle (21) du boîtier en résine (20). La jonction (5b) est au contact d'une section en saillie (21c) se trouvant sur l'arrière du couvercle (21).
(JA) 半導体装置は、金属ベース(6)と、金属ベース(6)に接合された配線基板(2)と、配線基板(2)の回路パターン(2a,2b)に接合された半導体チップ(1)および制御端子(5)と、金属ベース(6)に接着された樹脂ケース(20)と、で構成される。制御端子(5)は、樹脂ケース(20)の蓋(21)を貫通する貫通部(5a)と、貫通部(5a)に連結された連結部(5b)と、連結部(5b)に連結された接続部(5c)とからなる。制御端子(5)の蓋(21)を貫通する部分には阻止部(5d)および切り抜き部(5e)が設けられている。阻止部(5d)は、蓋(21)のおもて面に形成される段差(21b)に接触する。阻止部(5d)は、貫通部(5a)が樹脂ケース(20)の蓋(21)を貫通するときに、切り抜き部(5e)内に収納される。連結部(5b)は、蓋(21)の裏面に設けられた凸部(21c)に接触する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)