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1. (WO2013047000) MÉCANISME À RAYONNEMENT MICRO-ONDES, SOURCE DE PLASMA À ONDES DE SURFACE, ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA À ONDES DE SURFACE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/047000    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/070988
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 20.08.2012
CIB :
H05H 1/46 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H05H 1/00 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (Tous Sauf US).
IKEDA Taro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OSADA Yuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIYASHITA Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KASAI Shigeru [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : IKEDA Taro; (JP).
OSADA Yuki; (JP).
MIYASHITA Hiroyuki; (JP).
KASAI Shigeru; (JP)
Mandataire : TAKAYAMA Hiroshi; Daisan Inoue Bldg. 3F, 5-8-1, Futago, Takatsu-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2130002 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-216540 30.09.2011 JP
Titre (EN) MICROWAVE RADIATING MECHANISM, SURFACE WAVE PLASMA SOURCE, AND SURFACE WAVE PLASMA PROCESSING DEVICE
(FR) MÉCANISME À RAYONNEMENT MICRO-ONDES, SOURCE DE PLASMA À ONDES DE SURFACE, ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA À ONDES DE SURFACE
(JA) マイクロ波放射機構、表面波プラズマ源および表面波プラズマ処理装置
Abrégé : front page image
(EN)A microwave radiating mechanism (41) comprises: a surface wave plasma emitting antenna (81); a slow wave material (82) formed from a dielectric; a dielectric member (83) in which an electric field is formed for generating a surface wave plasma by microwaves radiated from the antenna (81); either an electric field sensor (112) or a plasma light emission sensor (113); and sensor via holes (110) which are disposed for the passage of the slow wave material (82) and the surface wave plasma emitting antenna (81). The sensor through holes (110) are formed in a region corresponding to the interior of a slot in a concentric circle with an equivalent one or more integer multiples of one or more slots. Either the electric field sensor (112) or the plasma light emission sensor (113) is inserted into at least one of the sensor through holes (110).
(FR)La présente invention concerne un mécanisme de rayonnement micro-ondes (41) qui comprend : une antenne d'émission de plasma à ondes de surface (81); un matériau à onde lente (82) formé d'un diélectrique; un élément diélectrique (83) dans lequel un champ électrique est formé pour la génération d'un plasma à ondes de surface par des micro-ondes diffusées par l'antenne (81); soit un capteur de champ électrique (112), soit un capteur d'émission de lumière plasma (81); et des trous d'interconnexion de capteur (110) qui sont disposés pour le passage du matériau à onde lente (82) et l'antenne d'émission de plasma à ondes de surface (81). Les trous d'interconnexion de capteur (110) sont formés dans une région correspondant à l'intérieur d'une fente dans un cercle concentrique possédant l'équivalent d'un ou de plusieurs multiples entiers d'une ou de plusieurs fentes. Soit le capteur de champ électrique (112), soit le capteur d'émission de lumière plasma (113) est inséré dans au moins un des trous d'interconnexion de capteur (110).
(JA) マイクロ波放射機構(41)は、表面波プラズマ発生用アンテナ(81)と、誘電体からなる遅波材(82)と、アンテナ(81)から放射されたマイクロ波により表面波プラズマを生成するための電界が形成される誘電体部材(83)と、電界センサ(112)またはプラズマ発光センサ(113)と、遅波材(82)および表面波プラズマ発生用アンテナ(81)を貫通するように設けられたセンサ挿入孔(110)とを具備している。センサ挿入孔(110)は、スロット内側に対応する領域に、同一の円周上にスロットの1以上の整数倍の個数が均等に形成されており、電界センサ(112)またはプラズマ発光センサ(113)は、センサ挿入孔(110)の少なくとも一つに挿入されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)