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1. (WO2013046217) DISPOSITIF DE SÉLECTION POUR MÉMOIRE RRAM BIPOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/046217    N° de la demande internationale :    PCT/IN2012/000411
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 12.06.2012
CIB :
G11C 16/02 (2006.01)
Déposants : INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY BOMBAY [IN/IN]; IIT Powai Mumbai, Maharashtra 400076 (IN) (Tous Sauf US).
GANGULY, Udayan [IN/IN]; (IN) (US Seulement).
LODHA, Saurabh [IN/IN]; (IN) (US Seulement).
BAFNA, Pranil Yogendra [IN/IN]; (IN) (US Seulement).
KARKARE, Prateek [IN/IN]; (IN) (US Seulement).
KUMBHARE, Pankaj S. [IN/IN]; (IN) (US Seulement).
SRINIVASAN, V.S. Senthil [IN/IN]; (IN) (US Seulement)
Inventeurs : GANGULY, Udayan; (IN).
LODHA, Saurabh; (IN).
BAFNA, Pranil Yogendra; (IN).
KARKARE, Prateek; (IN).
KUMBHARE, Pankaj S.; (IN).
SRINIVASAN, V.S. Senthil; (IN)
Mandataire : CHAKRAVARTHY, Kalyan; Brain League IP Counsels No.40,2nd Floor, 3rd Main Road JC Industrial Estate,Kanakapura Road Bangalore, Karnataka 560062 (IN)
Données relatives à la priorité :
1727/MUM/2011 13.06.2011 IN
Titre (EN) SELECTOR DEVICE FOR BIPOLAR RRAM
(FR) DISPOSITIF DE SÉLECTION POUR MÉMOIRE RRAM BIPOLAIRE
Abrégé : front page image
(EN)Selector device for bipolar RRAM is disclosed. This invention relates to high density volatile and nonvolatile memories, and more particularly to selection devices in bipolar resistive random access memory. The present day technology uses positive and negative field on memory device to change resistance states. Various metal oxides used in bipolar RRAM operations display symmetric as well as asymmetric operation. However, there is no selection device which works close to symmetric or even some asymmetric operation. A memory element is proposed for providing high density volatile/non-volatile memory storage which comprises of memory element and bipolar vertical selector device. Further, the selector device is based on punch-through mechanism concept.
(FR)L'invention concerne un dispositif de sélection pour mémoire RRAM bipolaire. L'invention concerne des mémoires volatiles et non volatiles à haute densité, et plus particulièrement des dispositifs de sélection dans une mémoire à accès aléatoire résistive bipolaire. La technologie actuelle utilise des champs positifs et négatifs sur des dispositifs de mémoire pour changer les états de résistance. Divers oxydes métalliques utilisés dans des opérations de RRAM bipolaire fonctionnent dans des conditions symétriques et asymétriques. Cependant, il n'existe pas de dispositif de sélection qui fonctionne dans des conditions symétriques ou asymétriques. Un élément mémoire est proposé pour obtenir un stockage de mémoire volatile/non volatile à haute densité qui comprend un élément de mémoire et un dispositif de sélection bipolaire vertical. En outre, le dispositif de sélection est fondé sur un concept de mécanisme de pénétration.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)