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1. (WO2013046050) PROCÉDÉ DE NETTOYAGE À SEC POUR RÉTABLIR UNE CONDITION DE TRAITEMENT DE GRAVURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/046050    N° de la demande internationale :    PCT/IB2012/002445
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 29.09.2012
CIB :
H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo, 107-6325 (JP)
Inventeurs : HASHIMOTO, Mitsuru; (US).
KO, Akiteru; (US).
WULLUR, Aline; (US)
Mandataire : ITOH, Tadashige; 16th Floor, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Seimei Building), 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
Données relatives à la priorité :
13/249,748 30.09.2011 US
Titre (EN) DRY CLEANING METHOD FOR RECOVERING ETCH PROCESS CONDITION
(FR) PROCÉDÉ DE NETTOYAGE À SEC POUR RÉTABLIR UNE CONDITION DE TRAITEMENT DE GRAVURE
Abrégé : front page image
(EN)A method of patterning a substrate is described. The method includes establishing a reference etch process condition for a plasma processing system. The method further includes transferring a mask pattern formed in a mask layer to one or more layers on a substrate using at least one plasma etching process in the plasma processing system to form a feature pattern in the one or more layers and, following the transferring, performing a multi-step dry cleaning process to substantially recover the reference etch condition. Furthermore, the multi-step dry cleaning process includes performing a first dry cleaning process step using plasma formed from a first dry clean process composition containing an oxygen-containing gas, and performing a second dry cleaning process step using plasma formed from a second dry clean process composition containing a halogen-containing gas.
(FR)L'invention porte sur un procédé de réalisation de motif sur un substrat. Le procédé met en œuvre l'établissement d'une condition de traitement de gravure de référence pour un système de traitement à plasma. Le procédé met de plus en œuvre le traitement d'un motif de masque formé dans une couche de masque sur une ou plusieurs couches sur un substrat à l'aide d'au moins un traitement de gravure à plasma dans le système de traitement à plasma afin de former un motif élémentaire dans la ou les couches, et, après le transfert, la réalisation d'un processus de nettoyage à sec à étapes multiples afin de rétablir sensiblement la condition de gravure de référence. De plus, le processus de nettoyage à sec à étapes multiples comprend la réalisation d'une première étape de processus de nettoyage à sec à l'aide d'un plasma formé à partir d'une première condition de processus de nettoyage à sec contenant un gaz contenant de l'oxygène, et la réalisation d'une seconde étape de processus de nettoyage à sec à l'aide d'un plasma formé à partir d'une seconde composition de processus de nettoyage à sec contenant un gaz contenant un halogène.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)