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1. (WO2013045960) PROCÉDURE ET DISPOSITIF DE MESURE DE LA TEMPÉRATURE D'UN SILICIUM ET DE PROTECTION CONTRE LA SURCHAUFFE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE À GRILLE ISOLÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/045960    N° de la demande internationale :    PCT/HR2012/000020
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 24.09.2012
CIB :
G01K 7/01 (2006.01)
Déposants : KONČAR - ELECKTRIČNA VOZILA D.D. [HR/HR]; Velimira Ŝkorpika 7 10000 Zagreb (HR)
Inventeurs : BAHUN, Ivan; (HR)
Mandataire : DIDAK, Vinko; B. Magovca 15 10010 Zagreb (HR)
Données relatives à la priorité :
P20110689 A 26.09.2011 HR
Titre (EN) PROCEDURE AND DEVICE FOR MEASURING SILICON TEMPERATURE AND OVER-TEMPERATURE PROTECTION OF A POWER INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
(FR) PROCÉDURE ET DISPOSITIF DE MESURE DE LA TEMPÉRATURE D'UN SILICIUM ET DE PROTECTION CONTRE LA SURCHAUFFE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE À GRILLE ISOLÉE
Abrégé : front page image
(EN)This invention is based on the fact that the threshold voltage of power insulated gate bipolar transistors linearly decreases with an increase of silicon temperature. Threshold voltage according to this invention is determined through voltage detection between the control and power connections of the transistor emitter. Silicon temperature is determined from the threshold voltage measured in such a way on the basis of the predetermined linear threshold voltage temperature dependency on the silicon temperature for a certain transistor. The measured threshold voltage is used for designing over-temperature protection and for measuring silicon temperature in real time in operational conditions. Fig. 2 shows a block diagram of the device (1) for measuring silicon temperature and over-temperature protection of power insulated gate bipolar transistor (20). The device (1) consists of a circuit (2) for voltage detection between the control and power connections of the transistor emitter, circuit (3) for over- temperature protection and measuring silicon temperature and circuit (4) for turning transistor 20 on and off.
(FR)Cette invention est fondée sur le fait que la tension de seuil de transistors bipolaires à grille isolée diminue linéairement avec l'augmentation de la température du silicium. La tension de seuil, selon la présente invention, est déterminée par détection de la tension entre les raccordements de commande et de puissance de l'émetteur de transistor. La température du silicium est déterminée à partir de la tension de seuil mesurée, sur la base de l'assujettissement de la température de seuil de tension linéaire prédéterminée à la température du silicium pour un certain transistor. La tension de seuil mesurée est utilisée pour mettre au point la protection contre la surchauffe et pour mesurer la température du silicium en temps réel dans des conditions de fonctionnement. La figure 2 montre un schéma fonctionnel du dispositif (1) utilisé pour mesurer la température du silicium et la protection contre la surchauffe du transistor bipolaire à grille isolée (20). Le dispositif (1) est constitué d'un circuit (2) de détection de tension entre les raccordements de commande et de puissance de l'émetteur de transistor, d'un circuit (3) de protection contre la surchauffe et de mesure de la température du silicium, et d'un circuit (4) pour allumer ou éteindre le transistor (20).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)