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1. WO2013045960 - PROCÉDURE ET DISPOSITIF DE MESURE DE LA TEMPÉRATURE D'UN SILICIUM ET DE PROTECTION CONTRE LA SURCHAUFFE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE À GRILLE ISOLÉE

Numéro de publication WO/2013/045960
Date de publication 04.04.2013
N° de la demande internationale PCT/HR2012/000020
Date du dépôt international 24.09.2012
CIB
G01K 7/01 2006.1
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
KMESURE DES TEMPÉRATURES; MESURE DES QUANTITÉS DE CHALEUR; ÉLÉMENTS THERMOSENSIBLES NON PRÉVUS AILLEURS
7Mesure de la température basée sur l'utilisation d'éléments électriques ou magnétiques directement sensibles à la chaleur
01utilisant des éléments semi-conducteurs à jonctions PN
CPC
G01K 2217/00
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2217Temperature measurement using electric or magnetic components already present in the system to be measured
G01K 7/01
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
7Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat
01using semiconducting elements having PN junctions
Déposants
  • KONČAR - ELECKTRIČNA VOZILA D.D. [HR]/[HR]
Inventeurs
  • BAHUN, Ivan
Mandataires
  • DIDAK, Vinko
Données relatives à la priorité
P20110689 A26.09.2011HR
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) PROCEDURE AND DEVICE FOR MEASURING SILICON TEMPERATURE AND OVER-TEMPERATURE PROTECTION OF A POWER INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
(FR) PROCÉDURE ET DISPOSITIF DE MESURE DE LA TEMPÉRATURE D'UN SILICIUM ET DE PROTECTION CONTRE LA SURCHAUFFE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE À GRILLE ISOLÉE
Abrégé
(EN) This invention is based on the fact that the threshold voltage of power insulated gate bipolar transistors linearly decreases with an increase of silicon temperature. Threshold voltage according to this invention is determined through voltage detection between the control and power connections of the transistor emitter. Silicon temperature is determined from the threshold voltage measured in such a way on the basis of the predetermined linear threshold voltage temperature dependency on the silicon temperature for a certain transistor. The measured threshold voltage is used for designing over-temperature protection and for measuring silicon temperature in real time in operational conditions. Fig. 2 shows a block diagram of the device (1) for measuring silicon temperature and over-temperature protection of power insulated gate bipolar transistor (20). The device (1) consists of a circuit (2) for voltage detection between the control and power connections of the transistor emitter, circuit (3) for over- temperature protection and measuring silicon temperature and circuit (4) for turning transistor 20 on and off.
(FR) Cette invention est fondée sur le fait que la tension de seuil de transistors bipolaires à grille isolée diminue linéairement avec l'augmentation de la température du silicium. La tension de seuil, selon la présente invention, est déterminée par détection de la tension entre les raccordements de commande et de puissance de l'émetteur de transistor. La température du silicium est déterminée à partir de la tension de seuil mesurée, sur la base de l'assujettissement de la température de seuil de tension linéaire prédéterminée à la température du silicium pour un certain transistor. La tension de seuil mesurée est utilisée pour mettre au point la protection contre la surchauffe et pour mesurer la température du silicium en temps réel dans des conditions de fonctionnement. La figure 2 montre un schéma fonctionnel du dispositif (1) utilisé pour mesurer la température du silicium et la protection contre la surchauffe du transistor bipolaire à grille isolée (20). Le dispositif (1) est constitué d'un circuit (2) de détection de tension entre les raccordements de commande et de puissance de l'émetteur de transistor, d'un circuit (3) de protection contre la surchauffe et de mesure de la température du silicium, et d'un circuit (4) pour allumer ou éteindre le transistor (20).
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