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1. WO2013045493 - PROCÉDÉ DE PULVÉRISATION À MAGNÉTRON À COMPENSATION DE L'ÉROSION CIBLE

Numéro de publication WO/2013/045493
Date de publication 04.04.2013
N° de la demande internationale PCT/EP2012/068962
Date du dépôt international 26.09.2012
CIB
H01J 37/34 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
34fonctionnant par pulvérisation cathodique
C23C 14/35 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22caractérisé par le procédé de revêtement
34Pulvérisation cathodique
35par application d'un champ magnétique, p.ex. pulvérisation au moyen d'un magnétron
CPC
C23C 14/35
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
35by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
H01J 37/3405
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
34operating with cathodic sputtering
3402using supplementary magnetic fields
3405Magnetron sputtering
H01J 37/3467
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
34operating with cathodic sputtering
3464Operating strategies
3467Pulsed operation, e.g. HIPIMS
H01J 37/347
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
34operating with cathodic sputtering
3464Operating strategies
347Thickness uniformity of coated layers or desired profile of target erosion
Déposants
  • FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE]/[DE]
Inventeurs
  • BANDORF, Ralf
Mandataires
  • PFENNING, MEINIG & PARTNER GBR
Données relatives à la priorité
10 2011 115 145.527.09.2011DE
Langue de publication Allemand (de)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) VERFAHREN ZUM MAGNETRONSPUTTERN MIT AUSGLEICH DER TARGETEROSION
(EN) METHOD FOR MAGNETRON SPUTTERING WITH COMPENSATION OF THE TARGET EROSION
(FR) PROCÉDÉ DE PULVÉRISATION À MAGNÉTRON À COMPENSATION DE L'ÉROSION CIBLE
Abrégé
(DE) Verfahren zum Magnetron-Sputtern in einer Sputtervorrichtung, die eine Kathode, ein Target, das an einer Oberfläche der Kathode angeordnet ist oder Teil dieser Oberfläche der Kathode ist, und einen auf einer dieser Oberfläche abgewandten Seite der Kathode angeordneten Magnetsatz aufweist, wobei während des Sputterns das Target auf einer erodierenden Oberfläche zumindest bereichsweise erodiert wird, und wobei ein Abstand zwischen dem Magnetsatz und der erodierenden Oberfläche des Targets im Verlauf des Erodierens so nachgeführt wird, dass eine Impedanz eines die Kathode umfassenden Stromkreises sich im Laufe des Erodierens durch das Erodieren nur um weniger als einen vorbestimmten Wert ändert, der kleiner ist als eine Impedanzdifferenz zwischen der Impedanz bei nicht-erodiertem Target und der Impedanz bei maximal erodiertem Target bei nicht nachgeführtem Abstand.
(EN) The invention relates to a method for magnetron sputtering in a sputtering device, which has a cathode, a target, which is arranged on a surface of the cathode or is part of said surface of the cathode, and a magnet set arranged on a side of the cathode facing away from said surface, wherein the target is eroded at least in some areas on an eroding surface during the sputtering, and wherein a distance between the magnet set and the eroding surface of the target is adjusted during the course of the eroding in such a way that an impedance of a circuit comprising the cathode changes only by less than a predetermined value due to the eroding during the course of the eroding, which predetermined value is less than an impedance difference between the impedance for the non-eroded target and the impedance for the maximally eroded target at an unadjusted distance.
(FR) L'invention concerne un procédé de pulvérisation à magnétron dans un dispositif de pulvérisation cathodique, comprenant une cathode, une cible disposée sur une surface de la cathode ou faisant partie de cette surface de la cathode, et un groupe d'aimants disposés sur une face de la cathode tournée vers cette surface. La cible est érodée au moins par endroits pendant la pulvérisation cathodique sur une surface en érosion. Un écart entre le groupe d'aimants et la surface en érosion de la cible au cours de l'érosion est ajusté de sorte qu'une impédance d'un circuit englobant la cathode ne varie au cours de l'érosion, du fait de l'érosion, qu'en dessous d'une valeur prédéfinie inférieure à une différence d'impédance entre l'impédance présente lorsque la cible n'est pas érodée et l'impédance présente lorsque la cible est érodée au maximum et que l'écart n'est pas ajusté.
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