WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2013045454) REVÊTEMENT DE SUBSTRATS PAR PULVÉRISATION MAGNÉTRON PULSÉ DE GRANDE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/045454    N° de la demande internationale :    PCT/EP2012/068887
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 25.09.2012
CIB :
C23C 14/35 (2006.01), C23C 14/06 (2006.01), C23C 30/00 (2006.01)
Déposants : CEMECON AG [DE/DE]; Adenauerstraße 20A4 52146 Würselen (DE)
Inventeurs : HULTMAN, Lars; (SE).
GRECZYNSKI, Grzegorz; (SE).
LEMMER, Oliver; (DE).
KÖLKER, Werner; (DE).
BOLZ, Stephan; (DE)
Mandataire : KALKOFF & PARTNER; Martin-Schmeisser-Weg 3a-3b 44227 Dortmund (DE)
Données relatives à la priorité :
11183582.3 30.09.2011 EP
12157769.6 01.03.2012 EP
Titre (EN) COATING OF SUBSTRATES USING HIPIMS
(FR) REVÊTEMENT DE SUBSTRATS PAR PULVÉRISATION MAGNÉTRON PULSÉ DE GRANDE PUISSANCE
Abrégé : front page image
(EN)A process and a device for coating a substrate (22) are described. In a vacuum chamber (10), a first magnetron cathode (24) is provided with a sputtering target (28) of a first metal composition comprising predominantly aluminium.A second magnetron cathode (26) is provided with a sputtering target (30) of a second metal composition comprising at least 50 at-% of a second metal selected from groups IVA – VIA of the periodic table. In order to obtain coatings with improved properties, electrical power is supplied to the cathodes (24, 26) such that the targets (28, 30) are sputtered, where electrical power is supplied to the first cathode (24) as pulsed electrical power according to high power impulse magnetron sputtering with a first peak current density, and to the second cathode (26) with a second peak current density lower than the first peak current density. The substrate (22) is arranged within the vacuum chamber such that particles from the plasma deposit onto the substrate forming a coating.
(FR)La présente invention concerne un procédé et un dispositif pour revêtir un substrat (22). Dans une chambre à vide (10), une première cathode magnétron (24) est dotée d'une cible de pulvérisation (28) constituée d'une première composition métallique contenant principalement de l'aluminium. Une seconde cathode magnétron (26) est dotée d'une cible de pulvérisation (30) constituée d'une seconde composition métallique contenant au moins 50 % d'un second métal choisi dans les groupes IVA à VIA du tableau périodique. Afin d'obtenir des revêtements présentant de meilleures propriétés, les cibles (28, 30) sont pulvérisées en alimentant en énergie électrique les cathodes (24, 26), la première cathode (24) étant alimentée en énergie électrique pulsée selon une pulvérisation magnétron pulsé de grande puissance avec une première densité crête de courant et la seconde cathode (26) étant alimentée en énergie électrique avec une seconde densité crête de courant inférieure à la première densité crête de courant. Les particules issues du plasma se déposent sur le substrat (22) placé dans la chambre à vide afin de former un revêtement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)