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1. (WO2013045310) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE COUCHE DE RECOUVREMENT EN OXYDE DE SILICIUM SUR UN MIROIR EUV, MIROIR EUV, ET APPAREIL DE LITHOGRAPHIE EUV
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/045310    N° de la demande internationale :    PCT/EP2012/068319
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 18.09.2012
CIB :
G02B 5/08 (2006.01), G21K 1/06 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : CARL ZEISS SMT GMBH [DE/DE]; Rudolf-Eber-Strasse 2 73447 Oberkochen (DE) (Tous Sauf US).
EHM, Dirk, Heinrich [DE/DE]; (DE) (US only).
BLANCKENHAGEN, Gisela von [DE/DE]; (DE) (US only)
Inventeurs : EHM, Dirk, Heinrich; (DE).
BLANCKENHAGEN, Gisela von; (DE)
Mandataire : RUPP, Stefan; Kohler Schmid Möbus Patentanwälte Ruppmannstrasse 27 70565 Stuttgart (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2011 083 461.3 27.09.2011 DE
61/539,678 27.09.2011 US
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING A CAPPING LAYER COMPOSED OF SILICON OXIDE ON AN EUV MIRROR, EUV MIRROR, AND EUV LITHOGRAPHY APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE COUCHE DE RECOUVREMENT EN OXYDE DE SILICIUM SUR UN MIROIR EUV, MIROIR EUV, ET APPAREIL DE LITHOGRAPHIE EUV
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method for producing a capping layer (18) composed of silicon oxide SiOx on a coating (16) of a mirror (13), said coating reflecting EUV radiation (6) e.g. for use in an EUV lithography apparatus or in an EUV mask metrology system, comprising: irradiating a capping layer (18) composed of silicon nitride SiNx or composed of silicon oxynitride SiNxOy for converting the silicon nitride SiNx or the silicon oxynitride SiNxOy of the capping layer (18) into silicon oxide SiOx. The invention also relates to a mirror (13) comprising a capping layer comprised of silicon oxide SiOx, and to an EUV lithography apparatus comprising at least one such mirror (13).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une couche de recouvrement (18) en oxyde de silicium (SiOx) sur un revêtement (16) d'un miroir (13). Ce revêtement qui réfléchit le rayonnement EUV (6), peut être utilisé par exemple dans un appareil de lithographie EUV ou dans un système de métrologie à masque EUV. Le procédé consiste à: irradier une couche de recouvrement (18) en nitrure de silicium (SiNx) ou en oxynitrure de silicium (SiNxOy) pour convertir le nitrure de silicium (SiNx) ou l'oxynitrure de silicium (SiNxOy) de la couche de recouvrement (18) en oxyde de silicium (SiOx). L'invention concerne également un miroir (13) comprenant une couche de recouvrement en oxyde de silicium (SiOx); et un appareil de lithographie EUV comprenant au moins un tel miroir (13).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)