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1. (WO2013045183) DISPOSITIF À FAISCEAU D'ÉLECTRONS À VIDE ET PROCÉDÉ POUR RÉALISER UNE ÉLECTRODE DESTINÉE À CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/045183    N° de la demande internationale :    PCT/EP2012/066596
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 27.08.2012
CIB :
H01J 23/027 (2006.01), H01J 25/34 (2006.01)
Déposants : THALES ELECTRONIC SYSTEMS GMBH [DE/DE]; Söflinger Strasse 100 89077 Ulm (DE) (Tous Sauf US).
HAUBNER, Manfred [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
KUPIDURA, Dawid [PL/DE]; (DE) (US Seulement).
DIETRICH, Christof [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
ROGGENBUCK, Martin [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : HAUBNER, Manfred; (DE).
KUPIDURA, Dawid; (DE).
DIETRICH, Christof; (DE).
ROGGENBUCK, Martin; (DE)
Mandataire : WEBER, Gerhard; Rosengasse 13 89073 Ulm (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2011 053 949.2 27.09.2011 DE
Titre (DE) VAKUUM-ELEKTRONENSTRAHLANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER ELEKTRODE DAFÜR
(EN) VACUUM ELECTRON BEAM ARRANGEMENT AND METHOD FOR PRODUCING AN ELECTRODE THEREFOR
(FR) DISPOSITIF À FAISCEAU D'ÉLECTRONS À VIDE ET PROCÉDÉ POUR RÉALISER UNE ÉLECTRODE DESTINÉE À CELUI-CI
Abrégé : front page image
(DE)Zur Verminderung der Sekundärelektronenemission in einer Vakuum-Elektronenstrahlanordnung, insbesondere einer Wanderfeldröhre (TWT), wird eine Oberflächenstruktur mit einer offenporigen Oberflächenschicht (OS) und ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Oberflächenstruktur beschrieben.
(EN)In order to reduce the secondary electron emission in a vacuum electron beam arrangement, in particular a travelling wave tube (TWT), a surface structure with an open-pore surface layer (OS) and a method for producing such a surface structure are described.
(FR)Afin de diminuer l'émission d'électrons secondaires dans un dispositif à faisceau d'électrons à vide, notamment un tube à champ glissant (TWT), l'invention a pour objet une structure de surface présentant une couche de surface (OS) à pores ouverts, et un procédé pour réaliser une telle structure de surface.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)