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1. WO2013045178 - SUCCESSION DE COUCHES SEMI-CONDUCTRICES, PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE SUCCESSION DE COUCHES SEMI-CONDUCTRICES

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Numéro de publication WO/2013/045178
Date de publication 04.04.2013
N° de la demande internationale PCT/EP2012/066318
Date du dépôt international 22.08.2012
CIB
H01S 5/343 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
30Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active
34comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique , lasers à plusieurs puits quantiques ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif
343dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs
H01L 33/06 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
04ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
06au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
CPC
B82Y 20/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
20Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
H01L 33/0062
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
0062for devices with an active region comprising only III-V compounds
H01L 33/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
04with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
06within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
H01L 33/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
08with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
H01L 33/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
12with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
H01L 33/30
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
26Materials of the light emitting region
30containing only elements of group III and group V of the periodic system
Déposants
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • TÅNGRING, Ivar [SE]/[DE] (UsOnly)
  • BEHRINGER, Martin Rudolf [DE]/[DE] (UsOnly)
Inventeurs
  • TÅNGRING, Ivar
  • BEHRINGER, Martin Rudolf
Mandataires
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Données relatives à la priorité
102011115312.129.09.2011DE
Langue de publication Allemand (de)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) HALBLEITERSCHICHTENFOLGE, OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERSCHICHTENFOLGE
(EN) SEMICONDUCTOR LAYER SEQUENCE, OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR LAYER SEQUENCE
(FR) SUCCESSION DE COUCHES SEMI-CONDUCTRICES, PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE SUCCESSION DE COUCHES SEMI-CONDUCTRICES
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Abrégé
(DE) In mindestens einer Ausführungsform ist die Halbleiterschichtenfolge (1) für einen optoelektronischen Halbleiterchip (10) vorgesehen. Die Halbleiterschichtenfolge (1) beinhaltet mindestens drei Quantentöpfe (2), die zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung eingerichtet sind. Weiterhin umfasst die Halbleiterschichtenfolge (1) mehrere Barriereschichten (3), von denen jeweils mindestens eine zwischen zwei benachbarten Quantentöpfen (2) angeordnet ist. Die Quantentöpfe (2) weisen einen ersten mittleren Indiumgehalt und die Barriereschichten (3) einen zweiten, kleineren mittleren Indiumgehalt auf. Eine zweite mittlere Gitterkonstante der Barriereschichten (3) ist dabei kleiner als eine erste mittlere Gitterkonstante der Quantentöpfe (2).
(EN) In at least one embodiment, the semiconductor layer sequence (1) is provided for an optoelectronic semiconductor chip (10). The semiconductor layer sequence (1) comprises at least three quantum wells (2) designed for generating an electromagnetic radiation. Furthermore, the semiconductor layer sequence (1) comprises a plurality of barrier layers (3), at least one of which is respectively arranged between two adjacent quantum wells (2). The quantum wells (2) have a first average indium content and the barrier layers (3) have a second, lower average indium content. In this case, a second average lattice constant of the barrier layers (3) is less than a first average lattice constant of the quantum wells (2).
(FR) L'invention concerne dans au moins un mode de réalisation une succession de couches semi-conductrices (1) pour une puce semi-conductrice optoélectronique (10). La succession de couches semi-conductrices (1) comporte au moins trois puits quantiques (2) configurés pour produire un rayonnement électromagnétique. La succession de couches semi-conductrices (1) comporte en outre plusieurs couches barrière (3) parmi lesquelles respectivement au moins une est disposée entre deux puits quantiques (2) voisins. Les puits quantiques (2) présentent une première teneur moyenne en indium et les couches barrière (3) présentent une deuxième teneur moyenne inférieure en indium. Une deuxième constante de réseau moyenne des couches barrière (3) est inférieure à une première constante de réseau moyenne des puits quantiques (2).
Documents de brevet associés
DE102011115312
CN103875141
US20140326948
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
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