(DE) In mindestens einer Ausführungsform ist die Halbleiterschichtenfolge (1) für einen optoelektronischen Halbleiterchip (10) vorgesehen. Die Halbleiterschichtenfolge (1) beinhaltet mindestens drei Quantentöpfe (2), die zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung eingerichtet sind. Weiterhin umfasst die Halbleiterschichtenfolge (1) mehrere Barriereschichten (3), von denen jeweils mindestens eine zwischen zwei benachbarten Quantentöpfen (2) angeordnet ist. Die Quantentöpfe (2) weisen einen ersten mittleren Indiumgehalt und die Barriereschichten (3) einen zweiten, kleineren mittleren Indiumgehalt auf. Eine zweite mittlere Gitterkonstante der Barriereschichten (3) ist dabei kleiner als eine erste mittlere Gitterkonstante der Quantentöpfe (2).
(EN) In at least one embodiment, the semiconductor layer sequence (1) is provided for an optoelectronic semiconductor chip (10). The semiconductor layer sequence (1) comprises at least three quantum wells (2) designed for generating an electromagnetic radiation. Furthermore, the semiconductor layer sequence (1) comprises a plurality of barrier layers (3), at least one of which is respectively arranged between two adjacent quantum wells (2). The quantum wells (2) have a first average indium content and the barrier layers (3) have a second, lower average indium content. In this case, a second average lattice constant of the barrier layers (3) is less than a first average lattice constant of the quantum wells (2).
(FR) L'invention concerne dans au moins un mode de réalisation une succession de couches semi-conductrices (1) pour une puce semi-conductrice optoélectronique (10). La succession de couches semi-conductrices (1) comporte au moins trois puits quantiques (2) configurés pour produire un rayonnement électromagnétique. La succession de couches semi-conductrices (1) comporte en outre plusieurs couches barrière (3) parmi lesquelles respectivement au moins une est disposée entre deux puits quantiques (2) voisins. Les puits quantiques (2) présentent une première teneur moyenne en indium et les couches barrière (3) présentent une deuxième teneur moyenne inférieure en indium. Une deuxième constante de réseau moyenne des couches barrière (3) est inférieure à une première constante de réseau moyenne des puits quantiques (2).