WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2013044814) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FAISCEAU DE PARTICULES NEUTRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2013/044814 N° de la demande internationale : PCT/CN2012/082097
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 26.09.2012
CIB :
H01J 37/32 (2006.01) ,H05H 3/00 (2006.01)
Déposants : THE INSTITUTE OF MICROELECTRONICS OF CHINESE ACADEMY OF SCIENCES[CN/CN]; No.3, Bei-Tu-Cheng West Road, Chaoyang District Beijing 100029, CN
Inventeurs : XI, Feng; CN
LI, Yongtao; CN
LI, Nan; CN
ZHANG, Qingzhao; CN
XIA, Yang; CN
Mandataire : BEIJING BRIGHTANDRIGHT LAWFIRM; Suite 1008, 10/F Kuntai International Mansion B12 Chaowai Avenue, Chaoyang District Beijing 100020, CN
Données relatives à la priorité :
201110288064.226.09.2011CN
Titre (EN) NEUTRAL PARTICLE BEAM PRODUCING DEVICE AND METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FAISCEAU DE PARTICULES NEUTRES
(ZH) 产生中性粒子束的装置及方法
Abrégé : front page image
(EN) A neutral particle beam producing device, comprising a reaction chamber (102) provided with a plasma source (131) therein, an upper mesh plate (127), and a chip carrier (103) for holding a chip (104); the upper mesh plate (127) is disposed above the plasma source (131); an intermediate mesh plate (223a), an insulation plate (223b) and a lower mesh plate (223c) are sequentially disposed between the plasma source (131) and the chip holder (103); the upper mesh plate (127) and the lower mesh plate (223c) are respectively connected to a DC bias; and the intermediate mesh plate (223a) is grounded. Also disclosed is a neutral particle beam producing method. The device and the method can neutralize different ions such as positive ions and negative ions, improve ion neutralization efficiency, and ensure different ions in a mixed gas to achieve corresponding etching effects, thus adapted to different gas combinations and satisfying the requirements for different etching processes.
(FR) La présente invention porte sur un dispositif de production de faisceau de particules neutres, comprenant une chambre de réaction (102) comportant une source plasma (131) dans celle-ci, une plaque grillagée supérieure (127) et un support de puce (103) pour maintenir une puce (104); la plaque grillagée supérieure (127) est disposée au-dessus de la source plasma (131); une plaque grillagée intermédiaire (223a), une plaque d'isolation (223b) et une plaque grillagée inférieure (223c) sont disposées en séquence entre la source plasma (131) et le support de puce (103); la plaque grillagée supérieure (127) et la plaque grillagée inférieure (223c) sont reliées respectivement à une polarisation CC; et la plaque grillagée intermédiaire (223a) est mise à la terre. L'invention porte également sur un procédé de production de faisceau de particules neutres. Le dispositif et le procédé peuvent neutraliser différents ions tels que des ions positifs et des ions négatifs, améliorer un rendement de neutralisation d'ions et assurer que différents ions dans un gaz mélangé atteignent des effets de gravure correspondants, ainsi adaptés à différentes combinaisons de gaz et satisfaisant les exigences pour différents procédés de gravure.
(ZH) 一种产生中性粒子束的装置,包括反应腔体(102),在反应腔体(102)内部设置有等离子源(131)、上网板(127)以及放置芯片(104)的载片台(103),上网板(127)设置在等离子源(131)上方,等离子源(131)和载片台(103)之间依次设置有中网板(223a)、绝缘板(223b)及下网板(223c);上网板(127)和下网板(223c)分别连接一直流偏压,中网板(223a)接地。以及一种产生中性粒子束的方法。根据该装置及方法,使正、负离子等不同粒子都能实现中性化提高了离子的中性化效率,保证了混合气体中的不同种离子都会产生相应的刻蚀作用,适应了不同气体组合,以满足不同刻蚀工艺的要求。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)