WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2013044810) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE GÉNÉRATION DE FAISCEAU DE PARTICULES NEUTRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/044810    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/082087
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 26.09.2012
CIB :
H01J 37/32 (2006.01), H05H 3/00 (2006.01)
Déposants : THE INSTITUTE OF MICROELECTRONICS OF CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No. 3, Bei-Tu-Cheng West Road, Chaoyang District Beijing 100029 (CN)
Inventeurs : XI, Feng; (CN).
LI, Yongtao; (CN).
LI, Nan; (CN).
ZHANG, Qingzhao; (CN).
XIA, Yang; (CN)
Mandataire : BEIJING BRIGHTANDRIGHT LAWFIRM; Suite 1008, 10/F Kuntai International Mansion B12 Chaowai Avenue, Chaoyang District Beijing 100020 (CN)
Données relatives à la priorité :
201110288162.6 26.09.2011 CN
Titre (EN) DEVICE AND METHOD FOR GENERATING NEUTRAL PARTICLE BEAM
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE GÉNÉRATION DE FAISCEAU DE PARTICULES NEUTRES
(ZH) 产生中性粒子束装置及方法
Abrégé : front page image
(EN)A device for generating a neutral particle beam comprises a radio frequency power supply (121), a planar spiral radio frequency coil (122), a reaction cavity (102), a chip-carrying platform (103) for a chip (104) to be placed in, a Faraday shield grid (126), a plasma source (131), an upper screen plate (127), and a middle screen plate (123). A method for generating a neutral particle beam is also provided. Therefore, electrostatic damage during plasma etching can be reduced, radiation damage during processing can be reduced, process accuracy and device performance are improved, and requirements on increasing refinement and low damage during integrated circuit manufacturing can be satisfied.
(FR)La présente invention porte sur un dispositif de génération de faisceau de particules neutres qui comprend une alimentation électrique de fréquence radio (121), une bobine de fréquence radio en spirale plane (122), une cavité de réaction (102), une plateforme de support de puce (103) pour qu'une puce (104) y soit placée, une grille de protection Faraday (126), une source plasma (131), une plaque grillagée supérieure (127) et une plaque grillagée intermédiaire (123). L'invention porte également sur un procédé de génération de faisceau de particules neutres. Ainsi, un endommagement électrostatique durant une gravure plasma peut être réduit, un endommagement de rayonnement durant un traitement peut être réduit, une précision de procédé et une performance de dispositif sont améliorées et des exigences d'augmentation d'amélioration et de faible endommagement durant la fabrication de circuit intégré peuvent être satisfaites.
(ZH)一种产生中性粒子束的装置包括射频电源(121)、平面螺旋型射频线圈(122)、反应腔体(102)、放置芯片(104)的载片台(103)、法拉第屏蔽栅(126)、等离子源(131)、上网板(127)及中网板(123)。以及一种产生中性粒子束的方法。能够减少等离子体刻蚀中的静电损伤,减弱加工过程中产生的辐照损伤,提高了工艺精度和器件性能,可满足集成电路制造中不断精细化低损伤的要求。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)