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1. (WO2013044796) SUBSTRAT DE RÉSEAU ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/044796    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/081997
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 26.09.2012
CIB :
H01L 21/77 (2006.01), H01L 27/02 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : NING, Ce; (CN)
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; A0601, Huibin Building No.8 Beichen Dong Street Chaoyang District Beijing 100101 (CN)
Données relatives à la priorité :
201110288858.9 26.09.2011 CN
Titre (EN) ARRAY SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) SUBSTRAT DE RÉSEAU ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 阵列基板及其制作方法
Abrégé : front page image
(EN)An array substrate and a method for manufacturing same. The method for manufacturing an array substrate comprises the following steps: step S1. continuously depositing a gate electrode metal layer (11), an insulating layer (2) and an active layer (3) on a substrate (7), and forming a gate electrode (1), a gate line and an active layer pattern through a first masking process; step S2. depositing a passivation layer (4) on the substrate (7) after the step S1, and forming a via on the passivation layer (4) through a second masking process; and step S3. depositing a pixel electrode layer (51) and a source/drain electrode metal layer (61) on the substrate (7) after the step S2, and forming a pixel electrode (5), a source/drain electrode (6) and a data line through a third masking process.
(FR)L'invention concerne un substrat de réseau et son procédé de fabrication. Le procédé de fabrication d'un substrat de réseau comprend les étapes suivantes : étape S1 - déposer de manière continue une couche métallique d'électrode de grille (11), une couche isolante (2) et une couche active (3) sur un substrat (7) et former une électrode de grille (1), une ligne de grille et un motif de couche active dans un premier processus de masquage ; étape S2 - déposer une couche de passivation (4) sur le substrat (7) après l'étape S1 et former un trou métallisé sur la couche de passivation (4) dans un deuxième processus de masquage ; et étape S3 - déposer une couche d'électrode de pixels (51) et une couche métallique d'électrode de source/de drain (61) sur le substrat (7) après l'étape S2 et former une électrode de pixels (5), une électrode de source/de drain (6) et une ligne de données dans un troisième processus de masquage.
(ZH)一种阵列基板及其制作方法,其中阵列基板的制作方法包括以下步骤:步骤S1、在基板(7)上连续沉积栅电极金属层(11),绝缘层(2)和有源层(3),并通过第一次掩模工艺形成栅电极(1)、栅线和有源层图形;步骤S2、在完成步骤S1的基板(7)上沉积保护层(4),并通过第二次掩模工艺在保护层(4)上形成过孔;步骤S3、在完成步骤S2的基板(7)上沉积像素电极层(51)和源漏电极金属层(61),并通过第三次掩模工艺形成像素电极(5)、源漏电极(6)和数据线。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)