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1. (WO2013044783) SUBSTRAT DE MATRICE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/044783    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/081899
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 25.09.2012
CIB :
H01L 27/02 (2006.01), H01L 21/77 (2006.01)
Déposants : BEIJING BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No.8 Xihuanzhonglu, BDA Beijing 100176 (CN)
Inventeurs : LI, Cheng; (CN).
DONG, Xue; (CN).
CHEN, Dong; (CN).
MU, Suzhen; (CN)
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; A0601, Huibin Building, No.8 Beichen Dong Street Chaoyang District Beijing 100101 (CN)
Données relatives à la priorité :
201110288421.5 26.09.2011 CN
Titre (EN) ARRAY SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME AND DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT DE MATRICE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 阵列基板及其制备方法和显示装置
Abrégé : front page image
(EN)The embodiment of the present invention provides an array substrate, which comprises a base substrate; a gate line and a data line that formed on the base substrate cross each other to define a pixel area; thin film transistor and pixel electrode disposed in the pixel area; common electrode of strip-shaped disposed above the pixel electrode and the data line; the common electrode include a first common electrode which is covered above the data line and a second common electrode which is disposed above the pixel electrode, the width of the first common electrode is wider than the width of data line; insulating layer, which is disposed between the common electrode and the pixel electrode and between the pixel electrode and the data line, the area that the first common electrode corresponds to the data line is hollow.
(FR)Selon un mode de réalisation, cette invention concerne un substrat de matrice, comprenant : un substrat de base ; une ligne de grille et une ligne de données formées sur le substrat de base et se croisant de façon à définir une zone de pixel ; un transistor à couches minces et une électrode de pixel disposée dans la zone de pixel ; une électrode commune en forme de bande disposée au-dessus de l'électrode de pixel et de la ligne de données ; l'électrode commune comprend une première électrode commune déposée au-dessus de la ligne de données et une seconde électrode commune disposée au-dessus de l'électrode de pixel, la première électrode commune présentant une largeur supérieure à celle de la ligne de données ; une couche isolante disposée entre l'électrode commune et l'électrode de pixel et entre l'électrode de pixel et la ligne de données. La zone de correspondance de la première électrode commune et de la ligne de données est creuse.
(ZH)本发明的实施例提供一种阵列基板,包括:基底基板;形成于所述基底基板上的栅线和数据线,所述栅线和所述数据线相互交叉以限定像素区域;薄膜晶体管和像素电极,设置在所述像素区域内;条状的公共电极,设置在所述像素电极和所述数据线上方,所述公共电极包括覆盖在所述数据线上方且宽度大于所述数据线的宽度的第一公共电极和设置在像素电极上方的第二公共电极;绝缘层,设置在所述公共电极与所述像素电极之间以及所述公共电极和所述数据线之间,其中所述第一公共电极对应于数据线的区域镂空。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)