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1. (WO2013044679) MÉMOIRE MORTE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/044679    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/079554
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 02.08.2012
CIB :
H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/112 (2006.01)
Déposants : CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. [CN/CN]; No.8 Xinzhou Road, Wuxi New District Jiangsu 214028 (CN) (Tous Sauf US).
HUANG, Kai [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
DU, Peng [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
CAI, Jianxiang [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
HSU, Tsung-nten [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : HUANG, Kai; (CN).
DU, Peng; (CN).
CAI, Jianxiang; (CN).
HSU, Tsung-nten; (CN)
Mandataire : ADVANCE CHINA I.P.LAW OFFICE; Suite 918-920, Dongshan Plaza No.69 Xianlie Central Road Guangzhou, Guangdong 510095 (CN)
Données relatives à la priorité :
201110301094.2 28.09.2011 CN
Titre (EN) READ-ONLY MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) MÉMOIRE MORTE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 只读存储器及其制作方法
Abrégé : front page image
(EN)A read-only memory (ROM) including several array configuration storage units. The ROM contains two kinds of different structure of the storage unit. Two kinds of the storage unit were the first MOS transistor and the second MOS transistor. Source and drain of the first MOS transistor is same type, source and drain of the second MOS transistor is inverse type. Thus, the two different structures of the MOS transistor can be respectively used for storing the binary "0" and "1" information. In its manufacturing method, the same type of source and drain can be produced synchronously without additional mask plate, can save the additional mask plate of the traditional mask ROM.
(FR)Cette invention concerne une mémoire morte (ROM) comprenant plusieurs unités de stockage configurées en matrice. Les unités de stockage de ladite mémoire ROM présentent deux types de structures différentes. Les deux types d'unité de stockage sont un premier transistor MOS et un second transistor MOS. La source et le drain du premier transistor MOS sont du même type, tandis que la source et le drain du second transistor MOS sont de type inverse. Ainsi les deux structures différentes de transistors MOS peuvent respectivement être utilisées pour stocker les informations binaires « 0" et « 1". Le procédé de fabrication selon l'invention permet de produire simultanément les sources et drains de même type sans nécessiter une plaque de masque supplémentaire du type utilisé dans les mémoires ROM classiques à masque.
(ZH)一种只读存储器,包含若干个阵列排布的存储单元。只读存储器包含两种不同结构的存储单元。两种存储单元分别为第一MOS管和第二MOS管。第一MOS管的源极和漏极同型,第二MOS管的源极和漏极反型。因此,这两种不同结构的MOS管可分别用于存储二进制里"0"和"1"信息。在其制作方法中,同一类型的漏极、源极可以同步做,无需额外的掩模板,可以省去传统掩模只读存储器额外的掩模板。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)