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1. (WO2013044402) PROCÉDÉ DE REVÊTEMENT D'UN SUBSTRAT AVEC UNE COUCHE MINCE DE MÉTAL OU COMPOSÉ SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/044402    N° de la demande internationale :    PCT/CH2012/000219
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 24.09.2012
CIB :
C23C 14/00 (2006.01), H01J 37/34 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), C23C 14/10 (2006.01), C23C 14/54 (2006.01)
Déposants : EVATEC AG [CH/CH]; Lochrietstrasse 14 CH-8890 Flums (CH) (Tous Sauf US).
BIEDERMANN, Patrick [LI/LI]; (LI) (US only).
PADRUN, Marco [CH/CH]; (CH) (US only).
WALDNER, Stephan [CH/CH]; (CH) (US only).
SCHWYN THÖNY, Silvia [CH/CH]; (CH) (US only)
Inventeurs : BIEDERMANN, Patrick; (LI).
PADRUN, Marco; (CH).
WALDNER, Stephan; (CH).
SCHWYN THÖNY, Silvia; (CH)
Mandataire : HASLER, Erich; Riederer Hasler & Partner Patentanwälte AG Elestastrasse 8 CH-7310 Bad Ragaz (CH)
Données relatives à la priorité :
1577/11 26.09.2011 CH
Titre (EN) PROCESS OF COATING A SUBSTRATE WITH A THIN FILM OF METAL OR SEMICONDUCTOR COMPOUND
(FR) PROCÉDÉ DE REVÊTEMENT D'UN SUBSTRAT AVEC UNE COUCHE MINCE DE MÉTAL OU COMPOSÉ SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)The invention concerns a method of forming a layer of a metal or semiconductor compound on a substrate. The compound comprises a first and a second constituent of which the first constituent is a metal or semiconductor. The method is characterized by a deposition step, a transfer step and a processing step. The deposition step comprises depositing on the substrate, within a deposition zone (7), a layer of a substantially stoichiometric metal or semiconductor compound by sputtering and exposing the first constituent to a gas plasma comprising the second constituent in gaseous form. The transfer step comprises transferring the substrate to a processing zone (8) and the processing step comprises exposing the layer, within the processing zone (8), to a gas plasma, thereby modifying the surface of the layer.
(FR)La présente invention concerne un procédé de formation d'une couche d'un métal ou semi-conducteur sur un substrat. Le composé comprend un premier et un deuxième constituant dont le premier constituant est un métal ou un semi-conducteur. Le procédé est caractérisé par une étape de dépôt, une étape de transfert et une étape de traitement. L'étape de dépôt comprend le dépôt sur le substrat, dans une zone de dépôt (7), d'une couche d'un métal ou composé semi-conducteur sensiblement stœchiométrique par pulvérisation et l'exposition du premier constituant à un plasma gazeux comprenant le deuxième constituant sous forme gazeuse. L'étape de transfert comprend le transfert du substrat vers une zone de traitement (8) et l'étape de traitement comprend l'exposition de la couche, dans la zone de traitement (8), à un plasma gazeux, de manière à modifier la surface de la couche.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)